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IRG4BC20U价格

参考价格：￥6.8034

型号：IRG4BC20UDPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4BC20U多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC20U批发/采购报价，IRG4BC20U行情走势销售排行榜，IRG4BC20U报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4BC20U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Gener

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IRG4BC20U

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 13A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon
IRG4BC20UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDultrafast, ultra-s

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IRG4BC20UDPBF

UltraFastCoPackIGBT

Features •UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFRED®ultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa

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IRG4BC20UDS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera

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IRG4BC20UD-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera

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IRG4BC20UD-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

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IRG4BC20UD-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterpara- meterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

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IRG4BC20UDSRP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

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IRG4BC20UDSTRRP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

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IRG4BC20UPBF

UltraFastSpeedIGBT

Features •UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •Generati

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ULTRAFASTCOPACKIGBT

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IRG4BC20UDPBF

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 13A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon
IRG4BC20UDPBF_15

ULTRAFASTCOPACKIGBT

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ULTRAFASTCOPACKIGBT

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ULTRAFASTCOPACKIGBT

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IRG4BC20UPBF

ULTRAFASTSPEEDIGBT

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ULTRAFASTSPEEDIGBT

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IRG4BC20F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

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IRG4BC20FD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery

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IRG4BC20FDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE

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IRG4BC20F

FitRate/EquivalentDeviceHours

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FitRate/EquivalentDeviceHours

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IRG4BC20U产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20U

  • 功能描述

    IGBT UFAST 600V 13A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

IRG4BC20U供应商更多...

更新时间：2024-6-6 16:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
IRG4BC20U
IR
2020+
TO-220AB
16800
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深圳市振鑫微电子科技有限公司
IRG4BC20U
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