位置：IRG4BC20UDS > IRG4BC20UDS详情
IRG4BC20UDS中文资料
IRG4BC20UDS数据手册规格书PDF详情
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
• UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant
mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard D2Pak package
Benefits
• Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies available
• Optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
IRG4BC20UDS产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC20UDS
- 功能描述
IGBT ULT FAST 600V 13A D2PAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
D2PAK |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IR |
TO-263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
IR |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
7000 |
||||
IR |
23+ |
TO-263 |
38600 |
专业优势供应 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK |
800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
INFINEON |
1503+ |
TO-263 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
INTERNATIONALRECTIFIER |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
IRG4BC20UDSTRRP 价格
参考价格：￥8.8773
IRG4BC20UDS 资料下载更多...
IRG4BC20UDS 芯片相关型号
- IRFR9310
- IRFU6215
- IRFZ44
- IRFZ44ES
- IRFZ44N
- IRFZ44VZS
- IRFZ44Z
- IRFZ46N
- IRFZ48VS
- IRG4BC15MD
- IRG4BC20FD-S
- IRG4BC20KD
- IRG4BC20K-S
- IRG4BC20MD-S
- IRG4BC20SDS
- IRG4BC20W-S
- IRG4BC30
- IRG4BC30K
- IRG4BC30KD
- IRG4BC30SS
- IRG4BC30U-S
- IRG4BC30W-S
- IRG4PC40
- IRG4PC40K
- IRG4PC50FD
- IRG4PH40K
- IRG4PH40KD
- IRG4PH40U
- IRG4PH50KD
- IRG4PH50UD
IRF相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
International Rectifier
中文资料: 32179条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
