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发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2020-10-27 9:27:00

企业深圳市科雨电子有限公司

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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流(Ic)(最大值) 55A 集射极击穿电压(最大值) 600V 类型 - 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.3V @ 15V,27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA

属性 参数值

商品目录 IGBT管

集电极电流(Ic)(最大值) 55A

集射极击穿电压(最大值) 600V

类型 -

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.3V @ 15V,27A

栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)

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N-Channel IGBT

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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2025-8-11 16:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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