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IRG4BC20UD-S中文资料

厂家型号

IRG4BC20UD-S

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235.04Kbytes

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11

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

IGBT W/DIODE 600V 13A D2PAK

数据手册

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简称

IRF

生产厂商

International Rectifier

中文名称

官网

LOGO

IRG4BC20UD-S数据手册规格书PDF详情

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

• UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant

mode

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard D2Pak package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies available

• Optimized for specific application conditions

• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

IRG4BC20UD-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20UD-S

  • 功能描述

    IGBT W/DIODE 600V 13A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-6-20 14:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
IR
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原装,现货库存长期供应
IR
23+
D2-Pak
8600
全新原装现货
IR
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50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务

IRG4BC20UD-SPBF 价格

参考价格:¥8.8773

型号:IRG4BC20UD-SPBF 品牌:IR 备注:这里有IRG4BC20UD-S多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4BC20UD-S批发/采购报价,IRG4BC20UD-S行情走势销售排排榜,IRG4BC20UD-S报价。

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International Rectifier

中文资料: 32179条

International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在