IRG4BC20FD说明书PDF资料原装现货专卖英飞凌-IC资料网

您好,欢迎来到114ic资料网！

114ic电子网登录注册

芯片资料

数据手册
丝印反查
库存查询
行业新闻
生产厂家
替换型号
晶体管

精确

IRG4BC20FD价格

参考价格：￥7.4934

型号：IRG4BC20FDPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4BC20FD多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC20FD批发/采购报价，IRG4BC20FD行情走势销售排行榜，IRG4BC20FD报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRG4BC20FD	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery	IRF	IRF
IRG4BC20FD	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20FD	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20FD	600V 快速 1-8 kHz Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20FDPBF	INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE	IRF	IRF
IRG4BC20FD-S	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa	IRF	IRF
IRG4BC20FD-SPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa	IRF	IRF
IRG4BC20FD-STRL	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa	IRF	IRF
IRG4BC20FDPBF	OPTIMIZED FOR MEDIUM OPERATING 文件：319.01 Kbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20FDPBF_15	OPTIMIZED FOR MEDIUM OPERATING 文件：319.01 Kbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20FD-S	封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20FD-SPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20F	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera	IRF	IRF
IRG4BC20F	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF

IRG4BC20FD产品属性

类型
描述
型号
IRG4BC20FD
功能描述
IGBT FAST 600V 16A TO-220AB
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
-
标准包装
30
系列
GenX3™ IGBT
类型
PT 电压 -
集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

IRG4BC20FD供应商更多...

更新时间：2025-10-4 17:10:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRG4BC20FDPBF	INFINEON/英飞凌	24+	TO-220	159942	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	IRG4BC20FDPBF	INFINEON/英飞凌	24+	TO-220	1479	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRG4BC20FD	IR	24+	TO-220AB	8866		询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IRG4BC20FD	Infineon Technologies	23+	TO220AB	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市纳立科技有限公司	IRG4BC20FDPBF	IR	三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IRG4BC20FD	IR	2023+	TO-220AB	50000	原装现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRG4BC20FD	Infineon Technologies	23+	原装	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRG4BC20FD	Infineon Technologies	23+	原装	7000		询价
万三科技(深圳)有限公司	IRG4BC20FD	IR(国际整流器)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
深圳市达恩科技有限公司	IRG4BC20FDPBF	Infineon	24+	NA	3308	进口原装正品优势供应	询价

IRG4BC20FD芯片相关品牌

IRG4BC20FD规格书下载地址

IRG4BC20FD参数引脚图相关

IRG4BC20FD数据表相关新闻

IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-24
IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
IRFZ44NPBF原装现货
IRFZ44NPBF原装正品
2021-8-10
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录 IGBT管集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1

DdatasheetPDF页码索引

P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
P10
P11
P12
P13
P14
P15
P16
P17
P18
P19
P20
P21
P22
P23
P24
P25
P26
P27
P28
P29
P30
P31
P32
P33
P34
P35
P36
P37
P38
P39
P40
P41
P42
P43
P44
P45
P46
P47
P48
P49
P50
P51
P52
P53
P54
P55
P56
P57
P58
P59
P60
P61
P62
P63
P64
P65
P66
P67
P68
P69
P70
P71
P72
P73
P74
P75
P76
P77
P78
P79
P80
P81
P82
P83
P84
P85
P86
P87
P88
P89
P90
P91
P92
P93
P94
P95
P96
P97
P98
P99
P100
P101
P102
P103
P104
P105

您好,欢迎来到114ic资料网！

IRG4BC20FD价格

IRG4BC20FD产品属性

IRG4BC20FD供应商更多...

IRG4BC20FD芯片相关品牌

IRG4BC20FD规格书下载地址

IRG4BC20FD参数引脚图相关

IRG4BC20FD数据表相关新闻

IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货

IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货

IRFZ44NPBF原装现货

IRG4PC50WPBF

IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货

IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商

DdatasheetPDF页码索引