IRG4BC20FDPBF价格

参考价格:¥7.4934

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC20FDPBF

INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE

IRF

IRG4BC20FDPBF

OPTIMIZED FOR MEDIUM OPERATING

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IRF

IRG4BC20FDPBF

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

OPTIMIZED FOR MEDIUM OPERATING

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery

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IRG4BC20FDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20FDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 20:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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TO-220
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INFINEON/英飞凌全新特价IRG4BC20FDPBF即刻询购立享优惠#长期有货
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