IRG4BC20FDPBF价格

参考价格:¥7.4934

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4BC20FDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE

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IRG4BC20FDPBF

OPTIMIZEDFORMEDIUMOPERATING

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IRG4BC20FDPBF

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

OPTIMIZEDFORMEDIUMOPERATING

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery

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FitRate/EquivalentDeviceHours

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IRG4BC20FDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20FDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-17 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2020+
TO-220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
INFINEON/英飞凌
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TO-220
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全新、原装
IR
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1983
纳立只做原装正品13590203865
INFINEON/英飞凌
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TO-220
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当天发货全新原装现货
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6980
原装现货,可开13%税票
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