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IRG4BC20UDS价格
参考价格：￥8.8773
型号：IRG4BC20UDSTRRP 品牌：IR 备注：这里有IRG4BC20UDS多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC20UDS批发/采购报价，IRG4BC20UDS行情走势销售排行榜，IRG4BC20UDS报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4BC20UDS | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Genera | IRF |   | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra- | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra- | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery | IRF | | ||
INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
| IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | |
IRG4BC20UDS产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC20UDS
- 功能描述
IGBT ULT FAST 600V 13A D2PAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ir |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
||||
IR |
TO-263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
INTERNATIONALRECTIFIER |
25+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
|||
INTERNATIONALRECTIFIER |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK |
800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
INTERNATIONALRECTIFIER |
22+ |
N/A |
7294 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
INTERNATIONALRECTIFIER |
23+ |
NA |
7294 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
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Infineon Technologies |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
IRG4BC20UDS芯片相关品牌
IRG4BC20UDS规格书下载地址
IRG4BC20UDS参数引脚图相关
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- ku波段
- kt250
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- ks20
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- k9f1208
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- j111
- j108
- isd1420
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- IRH3230
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2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-23IRFZ44NPBF原装现货
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2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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