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IRG4BC20F中文资料

厂家型号

IRG4BC20F

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161.56Kbytes

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8

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

IGBT FAST 600V 16A TO-220AB

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC20F数据手册规格书PDF详情

Features

• Fast: Optimized for medium operating

frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20

kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

• Industry standard TO-220AB package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs

IRG4BC20F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20F

  • 功能描述

    IGBT FAST 600V 16A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-4 14:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
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IRG4BC20FPBF 价格

参考价格:¥6.3742

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