时间：2021-11-23 16:15:00
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.6 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 42 A
Pd-功率耗散: 160 W
最小工作温度: - 55 C
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: IGBT Transistors
400
子类别: IGBTs
宽度: 5.31 mm
零件号别名: SP001541874
单位重量: 38 g
文件 (8)
华富芯深圳智能科技有限公司
联系人：朱小姐
联系电话：13360504526
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A) | IRF International Rectifier |   | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) | IRF International Rectifier | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) | IRF International Rectifier | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) | IRF International Rectifier | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) | IRF International Rectifier | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours | IRF International Rectifier | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) | IRF International Rectifier | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours | IRF International Rectifier | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IRF International Rectifier | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IRF International Rectifier | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IR | 17+ | TO-247 | 4 | 原装 |
