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位置：首页 > IC中文资料第1063页 > IRF3710

IRF3710价格

参考价格：￥6.3669

型号：IRF3710LPBF 品牌：International 备注：这里有IRF3710多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF3710批发/采购报价，IRF3710行情走势销售排行榜，IRF3710报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF3710

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=23mohm,Id=57A)

VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710

N-ChannelPowerMOSFET

文件：346.96 Kbytes Page：7 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司

NELLSEMI
IRF3710

AdvancedProcessTechnology

文件：715.62 Kbytes Page：8 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF3710

N-ChannelPowerMOSFET(100V/59A)

文件：280.15 Kbytes Page：2 Pages

FS

First Silicon Co., Ltd

FS
IRF3710

iscN-ChannelMosfetTransistor

文件：65.319 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF3710L

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025ohm,Id=57A)

VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710LPBF

HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=23m廓,ID=57A)

VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710PBF

HEXFETPowerMOSFET

VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFETÆPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710S

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025ohm,Id=57A)

VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710SPBF

HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=23m廓,ID=57A)

VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710STRLPBF

AdvancedProcessTechnology

VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710STRRPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710Z

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710Z

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description TheIRF3710Zusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgat echarge.Itcanbeusedinawidevarietyof applications. GeneralFeatures VDS=100V,ID=60A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI
IRF3710ZGPBF

AdvancedProcessTechnology

VDSS=100V RDS(on)=18mΩ ID=59A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimproved

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710ZL

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710ZLPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710ZPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710ZS

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710ZSPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710_18

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：338.78 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF3710L

IscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：300.38 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF3710PBF

57A,100VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET

文件：1.6614 Mbytes Page：7 Pages

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

THINKISEMI
IRF3710PBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：224.46 Kbytes Page：8 Pages

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710S

IscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：189.08 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF3710SPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：309.51 Kbytes Page：10 Pages

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710Z

AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance

文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF3710Z

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：339.41 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF3710ZL

IscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：301.06 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF3710ZL

AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance

文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF3710ZPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：387.76 Kbytes Page：12 Pages

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710ZPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：387.76 Kbytes Page：12 Pages

IRF

International Rectifier

IRF
IRF3710ZS

AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance

文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF3710ZS

IscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：189.74 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
AMAUIF3710Z

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

KeyFeatures: •LowrDS(on)trenchtechnology •Lowthermalimpedance •Fastswitchingspeed

AnalogPower

Analog Power

AnalogPower
3710

GeneralPurposePackagingTape

文件：14.65 Kbytes Page：2 Pages

3M

3M Electronics

3M
3710

Nytye®MountingPlatforms

文件：241.29 Kbytes Page：1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Heyco
3710EFE

SecondarySideSynchronousPostRegulator

文件：226.91 Kbytes Page：12 Pages

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LINER
3710Z

59A100VN-CHANNELPOWERMOSFETTRANSISTOR

文件：278.19 Kbytes Page：7 Pages

KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

IRF3710产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF3710

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    MOSFET N TO-220

IRF3710供应商更多...

更新时间：2025-7-25 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市勤思达科技有限公司
IRF3710S
IR
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