IRF3205ZSTRLPBF

时间:2022-4-26 15:24:00

IRF3205ZSTRLPBF

製造商: Infineon

產品類型: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 55 V

Id - C連續漏極電流: 110 A

Rds On - 漏-源電阻: 6.5 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V

Qg - 閘極充電: 76 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 170 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: Infineon / IR

配置: Single

下降時間: 67 ns

互導 - 最小值: 71 S

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 95 ns

原廠包裝數量: 800

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

標準斷開延遲時間: 45 ns

標準開啟延遲時間: 18 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: IRF3205ZSTRLPBF SP001559546

每件重量: 4 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??

IRF

International Rectifier

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??

IRF

International Rectifier

N-Channel Power MOSFET

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司

isc N-Channel Mosfet Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

N-Channel Trench Process Power MOSFET Transistor

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体上海思祁半导体有限公司

HEXFET Power MOSFET

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

N -Channel Power MOSFET (55V/110A)

FS

First Silicon Co., Ltd

2025-9-29 16:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
19+
TO-220
53800
INFINEON/英飞凌
25+
原封装
175000
郑重承诺只做原装进口现货
IR英飞凌
2013
TO-220
35
全新原装正品现货
IR
23+
65480
INFINOEN
24+
TO-220-3
90000
一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
IR
17+
TO-220
6200
100%原装正品现货
INFINEON
25+
TO-263
120000
原厂原装,价格优势
IR
06+
TO-220
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自己公司全新库存绝对有货
INFINEON
23+
TO-263
20000
IR
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