IRF3710STRLPBF价格

参考价格:¥4.0054

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF3710STRLPBF

Advanced Process Technology

VDSS = 100V RDS(on) = 23mΩ ID = 57A Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device desig

IRF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed

AnalogPower

General Purpose Packaging Tape

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3M

Nytye®Mounting Platforms

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Heyco

Secondary Side Synchronous Post Regulator

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LINER

凌力尔特

59A100V N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR

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KIA

可易亚半导体

IRF3710STRLPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF3710STRLPBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-28 10:13:00
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