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IRF3710L中文资料

厂家型号

IRF3710L

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184.53Kbytes

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10

功能描述

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)

MOSFET N-CH 100V 57A TO-262

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF3710L数据手册规格书PDF详情

VDSS = 100V

RDS(on) = 23mΩ

ID = 57A

Description

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

IRF3710L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF3710L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 57A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-2-3 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
17+
TO-262
31518
原装正品 可含税交易
IR
24+
TO-262-3
3410
Infineon
24+
NA
3348
进口原装正品优势供应
IR
23+
TO-262-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IR
2026+
TO262
26590
进口原装现货
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
INFINE0N
21+
I2PAK (TO-262)
32568
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营
Infineon(英飞凌)
2447
TO262
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INFINEON
25+
TO-262
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TO262
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IRF3710LPBF 价格

参考价格:¥6.3669

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