型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF3710ZGPBF

Advanced Process Technology

VDSS = 100V RDS(on) = 18mΩ ID = 59A Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved

IRF

IRF3710ZGPBF

Advanced Process Technology

Infineon

英飞凌

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed

AnalogPower

General Purpose Packaging Tape

文件:14.65 Kbytes Page:2 Pages

3M

Nytye®Mounting Platforms

文件:241.29 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

Secondary Side Synchronous Post Regulator

文件:226.91 Kbytes Page:12 Pages

LINER

凌力尔特

59A100V N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR

文件:278.19 Kbytes Page:7 Pages

KIA

可易亚半导体

IRF3710ZGPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF3710ZGPBF

  • 功能描述

    MOSFET 100V HALOGEN-FREE 1 N-CH HEXFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-3 14:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
IR
25+
TO-220
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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