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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF3710ZGPBF | AdvancedProcessTechnology VDSS=100V RDS(on)=18mΩ ID=59A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimproved | IRF International Rectifier |  |   |
N-Channel100-V(D-S)MOSFET KeyFeatures: •LowrDS(on)trenchtechnology •Lowthermalimpedance •Fastswitchingspeed | AnalogPower Analog Power |  | | |
GeneralPurposePackagingTape 文件：14.65 Kbytes Page：2 Pages | 3M 3M Electronics |  | | |
Nytye®MountingPlatforms 文件：241.29 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 |  | | |
SecondarySideSynchronousPostRegulator 文件：226.91 Kbytes Page：12 Pages | LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体 |  | | |
59A100VN-CHANNELPOWERMOSFETTRANSISTOR 文件：278.19 Kbytes Page：7 Pages | KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 |  | |
IRF3710ZGPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF3710ZGPBF
- 功能描述
MOSFET 100V HALOGEN-FREE 1 N-CH HEXFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2023+ |
TO-262 |
50000 |
原装现货 |
|||
IR |
21+ |
TO-262 |
12588 |
原装正品,价格优势 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
||||
IR国际整流器 |
23+ |
TO-220 |
15234 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
||||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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IRF3710ZGPBF规格书下载地址
IRF3710ZGPBF参数引脚图相关
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- j108
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2019-12-17
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