位置：IRF3710STRLPBF > IRF3710STRLPBF详情
IRF3710STRLPBF中文资料
IRF3710STRLPBF数据手册规格书PDF详情
VDSS = 100V
RDS(on) = 23mΩ
ID = 57A
Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
IRF3710STRLPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF3710STRLPBF
- 功能描述
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
D2-PAK |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
Infineon |
19+ |
TO-263 |
30000 |
||||
IR |
2020+ |
TO-263 |
22000 |
全新原装正品 现货库存 价格优势 |
|||
IR |
24+ |
TO263 |
86 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
D2-PAK |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IRF3710STRLPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IR |
24+ |
TO-220 |
15000 |
全新原装的现货 |
|||
IR |
16+ |
TO-263 |
36000 |
原装正品,优势库存81 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
65400 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
18269 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON |
25+ |
TO-263 |
12000 |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
IRF3710STRLPBF 价格
参考价格：￥4.0054
IRF3710STRLPBF 资料下载更多...
IRF3710STRLPBF相关电子新闻
IRF3710STRLPBF 原装正品
INFINEON/英飞凌现货100K
2022-7-6
IRF3710STRLPBF 芯片相关型号
- 001104
- 0402CS-4N7XJLU
- 1-350777-8
- 1-350948-0
- 1-87631-6
- 208744-4
- 2-1906052-7
- 280385-1
- 301A011THRU048
- 5-208744-5
- BA2902SKN
- BA7818
- BA78M12CP
- BA78M20CP
- C0402C0G1C270G
- C0402C0G1C680J
- EDZ6.2B
- GCM32DR72A225KA64L
- IRAUDAMP8
- IRGP35B60PDPBF
- NTA0303XMC
- NTA0312XMC
- SRF-51T-3.7
- TL431ACH
- TSP310CL
- TSP350B
- VFF10C30G
- VFP30C40
- VS-30CPQ050PbF
- ZMM5255
IRF相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文资料: 32183条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
