发布企业：深圳市毅创辉电子科技有限公司时间：2022-10-19 10:18:00
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 9.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 16.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRF520NPBF SP001571310
单位重量: 2 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   | |
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | | |
IRF120-123/IRF520-523 MTP10N08/10N10 N-Channel Power MOSFETs | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | | | |
N-Channel Power Mosfets, | ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED. |  | | |
N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | | | |
Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil Intersil Corporation |  | | |
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs | SUTEX Supertex, Inc |  | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF520 | IOR | 24+ | TO220 | 200 | |||
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VISHAY | 23+ | TO-220 | 65400 | ||||
IR | 2025+ | TO-220AB | 32560 | 原装优势绝对有货 |
