IRF520NPBF

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2022-10-19 10:18:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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全新原装现货 支持第三方机构验证

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 9.7 A

Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 16.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 48 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

商标: Infineon / IR

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

2000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IRF520NPBF SP001571310

单位重量: 2 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs

SUTEX

Supertex, Inc

N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET

Intersil

Intersil Corporation

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Advanced Power MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)

IRF

International Rectifier

Advamced {rpcess Technology Surface Mount

IRF

International Rectifier

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)

IRF

International Rectifier

2025-8-14 20:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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