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位置：首页 > IC中文资料第3631页 > IRG4BC20W

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC20W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de

IRF

IRG4BC20W

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 13A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4BC20W

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRG4BC20WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design and c

IRF

IRG4BC20WS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de

IRF

IRG4BC20W-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de

IRF

IRG4BC20W-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design and c

IRF

IRG4BC20WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：284.16 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC20WPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：284.16 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC20W-S

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 D2-Pak 封装

Infineon

英飞凌

IRG4BC20W-S

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 13A 60W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4BC20W-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：268.51 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4BC20W-SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：268.51 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4BC20F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera

IRF

IRG4BC20FD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery

IRF

IRG4BC20FDPBF

INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE

IRF

IRG4BC20F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

IRG4BC20FD

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

IRG4BC20W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20W

  • 功能描述

    IGBT WARP 600V 13A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

IRG4BC20W供应商更多...

更新时间：2025-10-7 14:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
千层芯半导体(深圳)有限公司
IRG4BC20WPBF
VISHAY
24+
TO-220
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VISHAY专营进口原装现货假一赔十
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深圳市莱克讯科技有限公司
IRG4BC20WPBF
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TO-220
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深圳市一线半导体有限公司
IRG4BC20WPBF
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TO-220-3
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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深圳市达恩科技有限公司
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IRG4BC20W-SPBF
INFINEON/英飞凌
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深圳市赛尔通科技有限公司
IRG4BC20WPBF
IR
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IRG4BC20W
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TO220
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深圳市科达星科技有限公司
IRG4BC20W
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深圳市昌和盛利电子有限公司
IRG4BC20W
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