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IRG4BC20WPBF中文资料

厂家型号

IRG4BC20WPBF

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9

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IGBT 晶体管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC20WPBF数据手册规格书PDF详情

Features

• Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications

• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

• 50 reduction of Eoff parameter

• Low IGBT conduction losses

• Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability

• Lead-Free

Benefits

• Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150 kHz(hard switched mode)

• Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

• Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)

IRG4BC20WPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20WPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 8:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-220
942
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
IR
23+
TO-220
65400
IR
24+
TO-220
52
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
IR
24+
TO-220-3
402
ir
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
VISHAY
24+
TO-220
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
IR
11+PBF
TO-220
52
优势