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IRG4BC20W-S中文资料

厂家型号

IRG4BC20W-S

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152.24Kbytes

页面数量

9

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

IGBT WARP 600V 13A D2PAK

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC20W-S数据手册规格书PDF详情

Features

• Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications

• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

• 50 reduction of Eoff parameter

• Low IGBT conduction losses

• Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability

Benefits

• Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode)

• Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

• Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >>300kHz)

IRG4BC20W-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20W-S

  • 功能描述

    IGBT WARP 600V 13A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2026-2-1 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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