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IRG4BC20W-SPBF中文资料

厂家型号

IRG4BC20W-SPBF

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212.93Kbytes

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10

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IGBT 晶体管 600V WARP 60-150KHZ DISCRETE IGBT

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC20W-SPBF数据手册规格书PDF详情

Features

• Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications

• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

• 50 reduction of Eoff parameter

• Low IGBT conduction losses

• Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability

• Lead-Free

Benefits

• Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode)

• Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

• Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >>300kHz)

IRG4BC20W-SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20W-SPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V WARP 60-150KHZ DISCRETE IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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