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2N666晶体管资料

  • 2N6665别名：2N6665三极管、2N6665晶体管、2N6665晶体三极管

  • 2N6665生产厂家：美国空间功率电子学公司

  • 2N6665制作材料：Si-NPN

  • 2N6665性质：超高频/特高频 （UHF）_低噪放大 （ra）

  • 2N6665封装形式：直插封装

  • 2N6665极限工作电压：20V

  • 2N6665最大电流允许值：0.125A

  • 2N6665最大工作频率：>2GHZ

  • 2N6665引脚数：4

  • 2N6665最大耗散功率：0.45W

  • 2N6665放大倍数：

  • 2N6665图片代号：D-51

  • 2N6665vtest：20

  • 2N6665htest：2000100000

  • 2N6665atest：0.125

  • 2N6665wtest：0.45

  • 2N6665代换 2N6665用什么型号代替：BFR95,2SC2408,

2N666价格

参考价格：￥63.9009

型号：2N6660 品牌：Microchip Technology 备注：这里有2N666多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N666批发/采购报价，2N666行情走势销售排行榜，2N666报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6660

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

GeneralDescription TheSupertex2N6660and2N6661areenhancementmode(normally-off)transistorsthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,

SUTEX

Supertex, Inc

SUTEX
2N6660

TMOSSWITCHINGFETTRANSISTORS

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
2N6660

N-Channel60-V

FEATURES •MilitaryQualified •LowOn-Resistence:1.3 •LowThreshold:1.7V •LowInputCapacitance:35pF •FastSwitchingSpeed:8ns •LowInputandOutputLeakage BENEFITS •GuaranteedReliability •LowOffsetVoltage •Low-VoltageOperation •EasilyDrivenWithoutBuffer •Hig

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6660

TMOSSWITCHINGTRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6661

N-Channel,Enhancement-Mode,VerticalDMOSFET

Description 2N6661isanenhancement-mode(normally-off)tranistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandawellprovensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscominationproducesadevicewiththepower-handlingcapabilitiesofbipolartransistors,andthehighinputimpedanceandpositive

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N6661

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

2N6661 •VDSS=90V,ID=0.9A,RDS(ON)=4.0Ω •FastSwitching •LowThresholdVoltage(LogicLevel) •LowCISS •IntegralSource-DrainBodyDiode •HermeticMetalTO39Package •HighReliabilityScreeningOptionsAvailable

TTELECTT Electronics.

TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司

TTELEC
2N6661

TMOSSWITCHINGTRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6661

TMOSSWITCHINGFETTRANSISTORS

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
2N6661

N-Channel80-Vand90-V(D-S)MOSFETS

FEATURES ●LowOn-Resistance:3.6Ω ●LowThreshold:1.6V ●LowInputCapacitance:35pF ●FastSwitchingSpeed:6ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6661

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

GeneralDescription TheSupertex2N6660and2N6661areenhancementmode(normally-off)transistorsthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,

SUTEX

Supertex, Inc

SUTEX
2N6661

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSTRANSISTOR

FEATURES •SwitchingRegulators •Converters •MotorDrivers

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6661CSM4

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DESCRIPTION Thisenhancement-mode(normally-off)verticalDMOSFETisideallysuitedtoawiderangeofswitchingandamplifyingapplicationswherehighbreakdownvoltage,highinputimpedance,lowinputcapacitance,andfastswitchingspeedsaredesired. HighReliabilityScreeningoptionsarea

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6661DCSM

DUALN?밅HANNELENHANCEMENTMODE

DESCRIPTION TheseDualenhancement-mode(normally-off)verticalDMOSFETsareideallysuitedtoawiderangeofswitchingandamplifyingapplicationswherehighbreakdownvoltage,highinputimpedance,lowinputcapacitance,andfastswitchingspeedsaredesired. HighReliabilityScreeningoptio

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6666

POWERTRANSISTORS(65W)

8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

MOSPEC
2N6666

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N6666

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N6667

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N6667

POWERTRANSISTORS(65W)

8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

MOSPEC
2N6667

DARLINGTONPOWERTRANSISTORS(PNPSILICON)

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N6667

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667

PNPDARLINGTONTRANSISTOR

Description:PNPDarlingtonTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6667

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-5A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-60V(Min) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A •ComplementtoType2N6387 APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N6667_05

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667G

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6668

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6668

DarlingtonPowerTransistor

[multicomp] 10AmpereDarlingtonPowerTransistorsPNPSilicon80Volts65Watts PlasticMedium-PowerSiliconTransistorsaredesignedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features: •Collector-EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)=80V(Minim

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
2N6668

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N6668

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N6668

DARLINGTONPOWERTRANSISTORS(PNPSILICON)

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6668

SILICONPNPPOWERDARLINGTONTRANSISTOR

SILICONPNPPOWERDARLINGTONTRANSISTOR ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPE ■PNPDARLINGTON ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE APPLICATIONS: ■GENERALPURPOSESWITCHING ■GENERALPURPOSESWITCHINGANDAMPLIFIER

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
2N6668

POWERTRANSISTORS(65W)

8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

MOSPEC
2N6668

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=-5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-80V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A ·ComplementtoType2N6388 APPLICATIONS ·Designedforgener

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N6668G

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6660

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

文件：395.58 Kbytes Page：3 Pages

SUTEX

Supertex, Inc

SUTEX
2N6660

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：541.05 Kbytes Page：3 Pages

TTELECTT Electronics.

TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司

TTELEC
2N6660

N-Channel,Enhancement-Mode,VerticalDMOSFET

文件：313.7 Kbytes Page：10 Pages

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N6660

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

文件：93.33 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6660

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：130.19 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6660_07

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

文件：395.58 Kbytes Page：3 Pages

SUTEX

Supertex, Inc

SUTEX
2N6660_11

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：130.19 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6660-2

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：130.19 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6660C4

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

文件：241.56 Kbytes Page：4 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6660CSM4

N?밅HANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

文件：135.54 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6660CSM4

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSTRANSISTOR

文件：43.89 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6660CSM4_0809

N?밅HANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

文件：135.54 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6660JANTX

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：130.19 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6660JANTXV

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：130.19 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6660X

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSTRANSISTOR

文件：37.42 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6661

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

文件：395.58 Kbytes Page：3 Pages

SUTEX

Supertex, Inc

SUTEX
2N6661

N-Channel90V(D-S)MOSFET

文件：130.4 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6661

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

文件：82.73 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6661_10

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

文件：82.73 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6661_11

N-Channel90V(D-S)MOSFET

文件：130.4 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6661-2

N-Channel90V(D-S)MOSFET

文件：130.4 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6661JANTX

N-Channel90V(D-S)MOSFET

文件：130.4 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6661JANTXV

N-Channel90V(D-S)MOSFET

文件：130.4 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
2N6661M1A

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

文件：730.33 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6666

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

文件：112.75 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N6667

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：102.89 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2N666产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N666

  • 功能描述

    MOSFET 60V 3Ohm

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

2N666供应商更多...

更新时间：2025-5-16 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
2N6667G
onsemi(安森美)
24+
TO-220
942
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2N6667G
ON/安森美
24+
NA/
3402
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2N6667G
ON
1738+
TO-220
8529
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!
询价
深圳市正纳电子有限公司
2N6667G
ON/安森美
23+
NA
400
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道
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深圳市威雅利发展有限公司
2N6667
MOT
9933+
TO-220
62
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市豪迈兴电子有限公司
2N6667
ONS
24+
8858
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
询价
深圳良洲科技有限公司
2N6667G
onsemi
两年内
NA
74
实单价格可谈
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2N6667
ON/安森美
23+
TO-220
20866
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
深圳市博浩通科技有限公司
2N6667G
ON
23+
TO-220AB
7750
全新原装优势
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
2N6667
HARRIS
25+23+
TO220
48572
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
询价

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