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2N6668中文资料

厂家型号

2N6668

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151.62Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington

数据手册

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生产厂商

ISC

2N6668数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: hFE = 1000(Min)@ IC= -5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = -80V(Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat) = -2.0V(Max)@ IC= -5A

·Complement to Type 2N6388

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

2N6668产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6668

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-4 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
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ONS
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原厂代理 终端免费提供样品
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2N6668 晶体管资料

  • 2N6668别名:2N6668三极管、2N6668晶体管、2N6668晶体三极管

  • 2N6668生产厂家:美国北美半导体公司

  • 2N6668制作材料:Si-P+Darl

  • 2N6668性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2N6668封装形式:直插封装

  • 2N6668极限工作电压:80V

  • 2N6668最大电流允许值:8A

  • 2N6668最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N6668引脚数:3

  • 2N6668最大耗散功率:65W

  • 2N6668放大倍数:β>1000

  • 2N6668图片代号:B-84

  • 2N6668vtest:80

  • 2N6668htest:999900

  • 2N6668atest:8

  • 2N6668wtest:65

  • 2N6668代换 2N6668用什么型号代替:BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,

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