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2N6666晶体管资料
2N6666别名：2N6666三极管、2N6666晶体管、2N6666晶体三极管
2N6666生产厂家：美国北美半导体公司
2N6666制作材料：Si-P+Darl
2N6666性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2N6666封装形式：直插封装
2N6666极限工作电压：40V
2N6666最大电流允许值：8A
2N6666最大工作频率：<1MHZ或未知
2N6666引脚数：3
2N6666最大耗散功率：65W
2N6666放大倍数：β>1000
2N6666图片代号：B-84
2N6666vtest：40
2N6666htest：999900
- 2N6666atest：8
2N6666wtest：65
2N6666代换 2N6666用什么型号代替：BD644,BD896,BDW74,BDX54,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2N6666 | POWERTRANSISTORS(65W) 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | MOSPEC MOSPEC |  |   |
2N6666 | PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司 |  | |
2N6666 | NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites. | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | |
2N6666 | iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor 文件：112.75 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
2N6666产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N6666
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
9933+ |
TO-220 |
62 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON/安森美 |
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公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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TO220 |
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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90000 |
全新原装正品/库存充足 |
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2N6666参数引脚图相关
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