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2N6668中文资料

厂家型号

2N6668

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1

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

2N6668数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites.

2N6668产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6668

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CENTRAL
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2N6668 晶体管资料

  • 2N6668别名:2N6668三极管、2N6668晶体管、2N6668晶体三极管

  • 2N6668生产厂家:美国北美半导体公司

  • 2N6668制作材料:Si-P+Darl

  • 2N6668性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2N6668封装形式:直插封装

  • 2N6668极限工作电压:80V

  • 2N6668最大电流允许值:8A

  • 2N6668最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N6668引脚数:3

  • 2N6668最大耗散功率:65W

  • 2N6668放大倍数:β>1000

  • 2N6668图片代号:B-84

  • 2N6668vtest:80

  • 2N6668htest:999900

  • 2N6668atest:8

  • 2N6668wtest:65

  • 2N6668代换 2N6668用什么型号代替:BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,