您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第714页 > 2N6668

2N6668晶体管资料

  • 2N6668别名：2N6668三极管、2N6668晶体管、2N6668晶体三极管

  • 2N6668生产厂家：美国北美半导体公司

  • 2N6668制作材料：Si-P+Darl

  • 2N6668性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2N6668封装形式：直插封装

  • 2N6668极限工作电压：80V

  • 2N6668最大电流允许值：8A

  • 2N6668最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N6668引脚数：3

  • 2N6668最大耗散功率：65W

  • 2N6668放大倍数：β>1000

  • 2N6668图片代号：B-84

  • 2N6668vtest：80

  • 2N6668htest：999900

  • 2N6668atest：8

  • 2N6668wtest：65

  • 2N6668代换 2N6668用什么型号代替：BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6668

POWERTRANSISTORS(65W)

8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
2N6668

DARLINGTONPOWERTRANSISTORS(PNPSILICON)

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6668

SILICONPNPPOWERDARLINGTONTRANSISTOR

SILICONPNPPOWERDARLINGTONTRANSISTOR ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPE ■PNPDARLINGTON ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE APPLICATIONS: ■GENERALPURPOSESWITCHING ■GENERALPURPOSESWITCHINGANDAMPLIFIER

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
2N6668

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N6668

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N6668

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6668

DarlingtonPowerTransistor

[multicomp] 10AmpereDarlingtonPowerTransistorsPNPSilicon80Volts65Watts PlasticMedium-PowerSiliconTransistorsaredesignedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features: •Collector-EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)=80V(Minim

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
2N6668

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=-5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-80V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A ·ComplementtoType2N6388 APPLICATIONS ·Designedforgener

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N6668

封装/外壳：TO-220-3 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS PNP DARL 80V 10A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
2N6668

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：102.89 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6668

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：76.94 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6668

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：119.55 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6668G

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6668 TIN/LEAD

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP DARL 80V 10A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N6668G

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：119.55 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2N6668产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6668

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N6668供应商更多...

更新时间：2024-4-26 10:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市鹏和科技有限公司
2N6668
ON
2022+
TO-220
5000
全现原装公司现货
询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司
2N6668
PECOR
PNPD
80V10A65W
3489
进口原装-真实库存-价实
询价
深圳市华瑞顺电子科技有限公司
2N6668
ST/意法
22+
N
12800
本公司只做进口原装!优势低价出售!
询价
深圳市易讯博科技有限公司
2N6668
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
深圳市国宇半导体科技有限公司
2N6668
MOSPEC
23+
TO-263
10000
公司只做原装正品
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
2N6668
ON/安森美
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品
询价
深圳市旺财半导体有限公司
2N6668
MOSPEC?
23+
220
4000
正品原装货价格低qq:2987726803
询价
上海市鑫鸿达电子
2N6668
PECOR
2022+
3300
全新原装 货期两周
询价
深圳市莱克讯科技有限公司
2N6668
ON
2017+
TO220
21458
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票
询价
深圳市威尔健半导体有限公司
2N6668
ON/安森美
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价

2N6668芯片相关品牌

  • ANACHIP
  • BOTHHAND
  • EUROQUARTZ
  • Honeywell
  • MOLEX8
  • MPS
  • nichicon
  • nxp
  • POWERBOX
  • RECTRON
  • TAI-TECH
  • Winbond

2N6668规格书下载地址

2N6668参数引脚图相关

2N6668数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示