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2N6667中文资料

厂家型号

2N6667

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2

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

两极晶体管 - BJT PNP Med Power

数据手册

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生产厂商

ISC

2N6667数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -5A

• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = -2.0V(Max)@ IC= -5A

• Complement to Type 2N6387

APPLICATIONS

• Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

2N6667产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6667

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Med Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-1 23:00:00
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2N6667G 价格

参考价格:¥2.3721

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