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2N6667晶体管资料

  • 2N6667别名：2N6667三极管、2N6667晶体管、2N6667晶体三极管

  • 2N6667生产厂家：美国北美半导体公司

  • 2N6667制作材料：Si-P+Darl

  • 2N6667性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2N6667封装形式：直插封装

  • 2N6667极限工作电压：60V

  • 2N6667最大电流允许值：8A

  • 2N6667最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N6667引脚数：3

  • 2N6667最大耗散功率：65W

  • 2N6667放大倍数：β>1000

  • 2N6667图片代号：B-84

  • 2N6667vtest：60

  • 2N6667htest：999900

  • 2N6667atest：8

  • 2N6667wtest：65

  • 2N6667代换 2N6667用什么型号代替：BD646,BD898,BDW74A,BDX54A,

2N6667价格

参考价格：￥7.1854

型号：2N6667 品牌：NTE 备注：这里有2N6667多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N6667批发/采购报价，2N6667行情走势销售排行榜，2N6667报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6667

POWERTRANSISTORS(65W)

8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
2N6667

DARLINGTONPOWERTRANSISTORS(PNPSILICON)

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N6667

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N6667

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667

PNPDARLINGTONTRANSISTOR

Description:PNPDarlingtonTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6667

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-5A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-60V(Min) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A •ComplementtoType2N6387 APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N6667

封装/外壳：TO-220-3 包装：散装 描述：TRANS PNP DARL 60V 10A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：102.89 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：76.94 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667_05

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667G

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667_07

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：102.89 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667_14

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：119.55 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667G

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：TRANS PNP DARL 60V 10A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6667G

DarlingtonSiliconPowerTransistors

文件：119.55 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2N6667产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6667

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Med Power

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N6667供应商更多...

更新时间：2024-4-26 21:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳立科技有限公司
2N6667G
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1983
纳立只做原装正品13590203865
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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2N6667
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2N6667G
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2N6667
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2N6667G
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