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2N6667_05

DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-5-17 14:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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