2N60G-TO220FT-A-TG_UTC代理商导读
超低启动电流（<5uA），超低静态电流（0.8mA）。具备欠压保护（UVP）、过压保护（OVP）， VCC 嵌位、过载保护（OLP）过温度保护（OTP）、过电流保护（OCP）。
由内部高压启动开关通过功率管Drain 提供起始电流对VCC 电容充电，当VCC 电压达到工作点（VCCon）20V 时，IC 开始工作，再由变压器辅助绕组线路对VCC 电容进行充电。
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MCR100L-TO92K-8-B-TG
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可；或按驱动电路信号 性质分为电压驱动型 、电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 。
U74AHC595G-TSSOP16R-TG UT3419G-SC59.3R-TG U74LVC1G04G-SOT353R-TG UZ2085G-TO252R-AD-TG U74AUP1G07G-SOT353R-TG 。
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小，IC 静态功耗没有太大变化，因此导致待机进入burst mode 后，VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN，发生VCC自动重启误动作。
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据悉，OpenAI已采用约2.5万颗英伟达GPU来满足其当前的服务器需求，且规模持续扩增中。从下游来看，受益于ChatGPT走红，英伟达客户对于AI芯片的需求快速飙升。业内预计微软、谷歌等硅谷大厂也将同步加大向英伟达的采购力度。
88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。
UPC817DG-DIP4T-TG\U74LV1T34G-SOT353R-TG\U74LVC126AG-TSSOP14R-TG\UT100N03L-TO220T-TG。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
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下图为FB 脚位电压、负载、开关频率的关系.。VFB其值反映負載的大小，負載越重，其值越大。UCS165XS 系列为混合模式控制器，IC 的开关频率及运行模式取决于FB 脚位电压。
重載和中载：FB 调整芯片工作在PWM mode 里，FB 值調整CS 值。
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