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HMC976LP3ETR 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款 BiCMOS 超低噪声线性稳压器（LDO）。

HMC976LP3ETR 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款 BiCMOS 超低噪声线性稳压器（LDO）。，输出电流：可达 400mA，能为负载提供较强的功率支持。压差特性：低压差，在 400mA 输出时，压差为 300mV。噪声性能：噪声极低，10kHz 时为 3nV/√Hz，1kHz 时为 6nV/√Hz。电源抑制比：具有高电源抑制比（PSRR），1kHz 时

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HMC903LP3ETR 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款低噪声放大器，采用砷化镓（GaAs）、假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术，以单芯片微波集成电路（MMIC）形式实现。

HMC903LP3ETR 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款低噪声放大器，采用砷化镓（GaAs）、假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术，以单芯片微波集成电路（MMIC）形式实现。，频率：工作频率范围为 6GHz 至 17GHz，适用于该频段内的信号放大。增益：具有较高的小信号增益，在 6GHz 至 16GHz 时，典型值为 18.5dB，能够有效提升输入信号强度。噪声系数：噪声系数较低，6GHz 至 16GHz 时典型值为 1.7dB，可减少信号放大过程中引入的噪声，保证信号质量。输出功率

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HMC902LP3E 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款砷化镓（GaAs）、假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、单芯片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。

HMC902LP3E 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款砷化镓（GaAs）、假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、单芯片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。，频率：工作频率范围为 5GHz 至 11GHz，适用于该频段内的信号放大。增益：具有较高的小信号增益，典型值为 19.5dB，能够有效提升输入信号的强度。噪声系数：噪声系数较低，典型值为 1.8dB，可减少信号放大过程中引入的噪声，有助于保证信号质量。输出功率：P1dB 输出功率典型值为 16dBm，可作为平衡、I/Q 或镜像

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HMC862ALP3ETR 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款低噪声、可编程的射频分频器。

HMC862ALP3ETR 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款低噪声、可编程的射频分频器。，具有低相位噪声、宽频率范围和灵活的分频比等特点，适用于高性能宽带通信系统，如卫星通信系统等。输入频率范围为 0.1GHz 至 24GHz，可满足多种射频应用的需求。分频器 N 可通过编程设置为 1、2、4 或 8，能根据实际应用场景灵活调整分频比。在 100kHz 失调时，低噪底为 - 153dBc/Hz，有助于保证信号质量，减少噪声干扰。模拟电源电压为 4.75V 至 5.25V，典型值通常为

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HMC833LP6GETR 是一款集成 VCO 的小数 N 分频 PLL 芯片，具有宽带、低噪声等特点，

HMC833LP6GETR 是一款集成 VCO 的小数 N 分频 PLL 芯片，具有宽带、低噪声等特点，，参数： RF 带宽：25MHz 至 6000MHz。鉴相器最高速率：100MHz。 VCO 基频范围：1500MHz 至 3000MHz。相位噪声与抖动：超低相位噪声：带内典型值为 - 110dBc/Hz。品质因数（FOM）：-227dBc/Hz。均方根抖动（RMS Jitter）：小于 180fs RMS。频率分辨率：24 位步长，典型分辨率为 3Hz。输出功率：具有

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HMC704LP4E 是一款高性能的小数 N 分频锁相环（PLL）芯片。

HMC704LP4E 是一款高性能的小数 N 分频锁相环（PLL）芯片。，参数频率：DC 至 8GHz。相位噪声：8GHz 小数分频，50kHz 失调时为 - 112dBc/Hz。品质因数方面，小数分频模式为 - 230dBc/Hz，整数分频模式（100MHz PFD）为 - 233dBc/Hz。鉴相频率：整数模式下最高为 115MHz，小数模式下最高为 100MHz，最小可至 DC。最高参考输入频率可达 350MHz。封装：24 引脚 4x4mm QFN 封装，尺寸为 16mm²。电

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HMC677LP5E 是一款 6 位串行 / 并行开关驱动器 / 控制器，采用 BiCMOS 工艺，适用于驱动基于 FET 和 pHEMT 的 MMIC 控制设备的栅极。

HMC677LP5E 是一款 6 位串行 / 并行开关驱动器 / 控制器，采用 BiCMOS 工艺，适用于驱动基于 FET 和 pHEMT 的 MMIC 控制设备的栅极。，参数: 封装：32 引脚 QFN 封装，尺寸为 5mm×5mm，引脚间距 0.5mm。工作温度：-40℃至 + 85℃。电源电压：典型值为 + 5V，电源电压范围为 4.5V 至 5.5V，负电源电压典型值为 - 5V。工作电流：典型值为 1.5mA。最大功率耗散：325mW。输入逻辑：兼容 TTL 和 CMOS

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HMC564LC4TR 是一款高动态范围 GaAs PHEMT MMIC 低噪声放大器。

HMC564LC4TR 是一款高动态范围 GaAs PHEMT MMIC 低噪声放大器。，参数: 频率：7GHz 至 14GHz。增益：典型值为 17dB，最小值为 14dB。增益温度系数：0.02 至 0.03dB/°C。噪声系数：典型值为 1.8dB，最大值为 2.2dB。输入回波损耗：15dB。输出回波损耗：14dB。 1dB 压缩点输出功率：典型值为 13dBm，最小值为 10dBm。饱和输出功率：14.5dBm。输出三阶交调截点：25dBm。电源电流：典型值为

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HMC547LP3ETR 是一款 GaAs MMIC 单刀双掷（SPDT）非反射型射频开关。

HMC547LP3ETR 是一款 GaAs MMIC 单刀双掷（SPDT）非反射型射频开关。，参数: 频率：DC 至 20GHz。插入损耗：10GHz 时典型值为 1.8dB，20GHz 时典型值为 2.5dB。隔离度：5GHz 以下大于 50dB，15GHz 以下大于 40dB，10GHz 时为 45dB，20GHz 时为 40dB。回波损耗：导通状态下，DC 至 6GHz 时表现较好；关闭状态下，DC 至 6GHz 典型值可达 26dB 左右。 1dB 压缩点输入功率：0.5GHz 至

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HMC451LP3E 是一款高效的 GaAs PHEMT MMIC 中等功率放大器，由亚德诺半导体（ADI）公司推出，采用符合 RoHS 标准的无引脚 SMT 封装。

HMC451LP3E 是一款高效的 GaAs PHEMT MMIC 中等功率放大器，由亚德诺半导体（ADI）公司推出，采用符合 RoHS 标准的无引脚 SMT 封装。，参数: 工作频率：5GHz 至 18GHz。增益：18dB。饱和功率：+21dBm（功率附加效率 PAE 为 18%）。输出 IP3：+28dBm。电源要求：单电源 + 5V 供电，电流为 120mA。输入输出阻抗：50Ω 匹配输入 / 输出，无需任何外部元件，且 RF I/O 经过隔直处理。封装：16 引脚 3x

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HMC433ETR 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款低噪声 4 分频静态分频器。

HMC433ETR 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款低噪声 4 分频静态分频器。，技术工艺：采用 InGaP GaAs HBT 技术。频率：可在 DC（使用方波输入）至 8GHz 的输入频率下工作。封装：采用 6 引脚 SOT-23 封装，属于超小型表面贴装封装，尺寸小巧，有利于节省电路板空间。温度：工作温度范围为 - 40℃至 85℃，能适应较广泛的工作环境。相位噪声：100kHz 偏置时的低加性单边带（SSB）相位噪声为 - 150dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。

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HMC424ALP3EC 是一款宽带、6 位、砷化镓（GaAs）数字衰减器。

HMC424ALP3EC 是一款宽带、6 位、砷化镓（GaAs）数字衰减器。，参数: 频率范围：0.1GHz 至 13.0GHz。衰减范围：以 0.5dB 为步进，最大衰减可达 31.5dB。步长误差：±0.5dB（典型值）。插入损耗：4GHz 时典型值为 2.8dB，在 0.1GHz 至 13.0GHz 范围内典型值小于 4dB。输入 P0.1dB：22dBm（典型值）。输入 IP3：45dBm（典型值）。 RF 输入功率：最大值为 25dBm。相对相位：6.0GHz 时典型

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HMC347ALP3ETR 是一款宽带高隔离度非反射式 GaAs pHEMT 单刀双掷（SPDT）射频开关。

HMC347ALP3ETR 是一款宽带高隔离度非反射式 GaAs pHEMT 单刀双掷（SPDT）射频开关。，参数: 频率范围：DC 至 14GHz。隔离度：3GHz 以下时大于 54dB，10GHz 以下时大于 44dB，14GHz 时典型值为 38dB。插入损耗：10GHz 时为 1.8dB，14GHz 时典型值为 1.9dB。回波损耗：RFC 端（导通状态），DC 至 6GHz 时典型值为 17dB；RF1、RF2 端（关闭状态），DC 至 6GHz 时典型值为 26dB。压缩点：

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HMC241ALP3ETR 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款 RF 开关集成电路，采用砷化镓（GaAs）工艺制造。

HMC241ALP3ETR 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款 RF 开关集成电路，采用砷化镓（GaAs）工艺制造。，参数：工作温度：-40℃~+85℃。存储温度：-65℃~+150℃。电源电压：3V~5V。工作频率：0.1GHz~4GHz。引脚数：16Pin。封装形式：LFCSP16_3X3MM-EP。阻抗：50Ω。特点：开关配置：SP4T（单刀四掷）开关，可在四个射频线路中进行选择。插入损耗：较低，在 4GHz 时典型值为 1.2dB，在 2GHz 时典型值

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ADXRS646BBGZ 是 ADI 公司推出的一款高性能偏航角速度陀螺仪，采用 BiMOS 表面微加工工艺制造1。

ADXRS646BBGZ 是 ADI 公司推出的一款高性能偏航角速度陀螺仪，采用 BiMOS 表面微加工工艺制造1。，默认测量范围为 ±250°/s，通过特定方式可扩大至 ±450°/s。偏置稳定度为 12°/ 小时，角向随机游动为 0.01°/√s，能提供较为精确的角速度测量。输出为模拟电压信号，与围绕封装上表面垂直轴（Z 轴）转动的角速率成比例，灵敏度为 9mV/deg/s，输出与基准电源成比率。采用先进的差分四路传感器设计，可在宽频率范围内提供高振动抑制特性，有效抑制线性加速度和振动的影

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