
参数:
频率:DC 至 20GHz。
插入损耗:10GHz 时典型值为 1.8dB,20GHz 时典型值为 2.5dB。
隔离度:5GHz 以下大于 50dB,15GHz 以下大于 40dB,10GHz 时为 45dB,20GHz 时为 40dB。
回波损耗:导通状态下,DC 至 6GHz 时表现较好;关闭状态下,DC 至 6GHz 典型值可达 26dB 左右。
1dB 压缩点输入功率:0.5GHz 至 20GHz 频率范围内,典型值为 24dBm,最大值为 29dBm。
开关速度:上升和下降时间(10/90%_RF)典型值为 2ns。
控制电压:采用 - 5/0V 的互补负控制电压逻辑线路,低电平 0 至 - 0.2V(最大 10μA),高电平 - 5V(典型 3μA)至 - 7V(最大 40μA)。
封装:3×3mm QFN SMT 封装,16 引脚。
工作温度:-40℃至 + 85℃。
存储温度:-65℃至 + 150℃。
最大射频输入功率:+30dBm。
热阻(插入损耗路径):118℃/W。
热阻(终端路径):200℃/W。