HMC902LP3E 是亚德诺半导体(ADI)推出的一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。

发布企业:深圳市盈慧通电子有限公司时间:2025-7-10 11:51:00

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HMC902LP3E 是亚德诺半导体(ADI)推出的一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。
HMC902LP3

频率:工作频率范围为 5GHz 至 11GHz,适用于该频段内的信号放大。

增益:具有较高的小信号增益,典型值为 19.5dB,能够有效提升输入信号的强度。

噪声系数:噪声系数较低,典型值为 1.8dB,可减少信号放大过程中引入的噪声,有助于保证信号质量。

输出功率:P1dB 输出功率典型值为 16dBm,可作为平衡、I/Q 或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。

输出 IP3:输出三阶截点(OIP3)为 28dBm,体现了其较好的线性性能,能在较大信号输入时保持信号的线性放大,减少失真。

电源特性:采用单电源供电,电源电压为 3.5V,电流为 80mA,功耗较低,有利于节省能源和降低发热。

输入输出匹配:输入和输出内部均匹配 50Ω,且具有隔直功能,便于与其他射频组件连接,无需额外复杂的匹配电路。

封装:采用 3mm×3mm、16 引脚的 LFCSP 封装,封装面积小,仅为 9mm²,适合对尺寸要求严格的应用场景。

静电防护:属于静电敏感器件,人体放电模式(HBM)为 1A 级,使用时需采取适当的静电防护措施,以避免性能下降或功能丧失。

HMC902LP3E 凭借其低噪声、高增益等特性,非常适合高容量微波无线电和 C 频段甚小孔径终端(VSAT)等应用场景。

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