HMC903LP3ETR 是亚德诺半导体(ADI)推出的一款低噪声放大器,采用砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术,以单芯片微波集成电路(MMIC)形式实现。

发布企业:深圳市盈慧通电子有限公司时间:2025-7-10 11:54:00

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HMC903LP3ETR 是亚德诺半导体(ADI)推出的一款低噪声放大器,采用砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术,以单芯片微波集成电路(MMIC)形式实现。
HMC903LP3

频率:工作频率范围为 6GHz 至 17GHz,适用于该频段内的信号放大。

增益:具有较高的小信号增益,在 6GHz 至 16GHz 时,典型值为 18.5dB,能够有效提升输入信号强度。

噪声系数:噪声系数较低,6GHz 至 16GHz 时典型值为 1.7dB,可减少信号放大过程中引入的噪声,保证信号质量。

输出功率:1dB 压缩点输出功率(P1dB)典型值为 14.5dBm,可作为平衡、I/Q 或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。

输出 IP3:输出三阶截点(OIP3)为 25dBm(典型值),线性性能较好,能在较大信号输入时保持信号的线性放大,减少失真。

电源特性:采用单电源供电,电源电压典型值为 3.5V,电流为 80mA,功耗较低。

输入输出匹配:输入和输出内部均匹配 50Ω,且具有隔直功能,便于与其他射频组件连接,无需额外复杂的匹配电路。

封装:采用 3mm×3mm、16 引脚的 LFCSP 封装,封装面积小,适合对尺寸要求严格的应用场景。

该器件适用于点对多点无线电、军事与太空领域以及高容量微波无线电和视频卫星(VSAT)等应用场景。

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GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 17 GHz

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