HMC241ALP3ETR 是亚德诺半导体(ADI)公司推出的一款 RF 开关集成电路,采用砷化镓(GaAs)工艺制造。

发布企业:深圳市盈慧通电子有限公司时间:2025-7-10 11:15:00

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HMC241ALP3ETR 是亚德诺半导体(ADI)公司推出的一款 RF 开关集成电路,采用砷化镓(GaAs)工艺制造。
HMC241ALP3E

参数:

工作温度:-40℃~+85℃。

存储温度:-65℃~+150℃。

电源电压:3V~5V。

工作频率:0.1GHz~4GHz。

引脚数:16Pin。

封装形式:LFCSP16_3X3MM-EP。

阻抗:50Ω。

特点:

开关配置:SP4T(单刀四掷)开关,可在四个射频线路中进行选择。

插入损耗:较低,在 4GHz 时典型值为 1.2dB,在 2GHz 时典型值为 0.7dB。

隔离度:较高,在 4GHz 时典型隔离度为 32dB,在 2GHz 时典型隔离度为 43dB。

线性度:输入线性度高,250MHz 至 4GHz 具有高功率处理能力。

其他特性:非反射式设计,集成式 2:4 线路解码器,便于逻辑控制;ESD 额定值为 250V(1A 级)。

应用领域:由于其宽带频率范围、低插入损耗和高隔离度等特性,适用于 WiMax、WLAN 等无线通信领域,也可用于需要射频信号切换的其他电子设备中。

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