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LQH32CN2R2M23射频电感器（SMD型）
LQH32CN2R2M23原装现货价格好，LQH32CN2R2M23原装现货价格好 LQH32CN2R2M23原装现货价格好 代理现货LQH32CN2R2M23 供应 有关咨询LQH32CN2R2M23 价格 LQH32CN2R2M23 供货情况 LQH32CN2R2M23 库存数量 LQH32CN2R2M23 规格书 LQH32CN2R2M23 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Murata 产品种类: 射频电感器（SMD型） 类型: Wirewound
深圳市毅创辉电子科技有限公司2025-7-25详情
供应TPSM82913RDUR
TPSM82913RDUR 品牌：TI(德州仪器) 封装：B0QFN-28(4.5x5.5)，TPSM8291x 器件是一系列高效、低噪声和低纹波电流 模式同步降压电源模块。这些器件非常适合通常使用 LDO 实现后置稳压的噪声敏感型应用，例如高速 ADC、时钟和抖动清除器、串行器、解串器和雷达应用。 这些器件在 2.2MHz 或 1MHz 的固定开关频率下工 作，并可与外部时钟同步。 采用铁氧体磁珠后，低输出电压纹波
深圳市威尔健半导体有限公司2025-7-24详情
供应TQL9044
TQL9044 品牌：Qorvo 封装：DFN-10-EP(3x3)，工作频率：1.5 GHz to 2.7 GHz 工作电源电压：5 V 工作电源电流：70 mA 增益：17 dB NF—噪声系数：0.8 dB 类型：Low Noise Amplifiers 安装风格：SMD/SMT 封装 / 箱体：DFN-EP-10 技术：Si P1dB - 压缩点：20 dBm OIP3 - 三阶截点：34.3 dBm 最小工作温度：- 40 C 最大工作温度：+ 8
深圳市威尔健半导体有限公司2025-7-24详情
SRP1510CA-4R7M功率电感器（SMD型）
SRP1510CA-4R7M原装现货价格好，SRP1510CA-4R7M原装现货价格好 代理现货SRP1510CA-4R7M 供应 有关咨询SRP1510CA-4R7M 价格 SRP1510CA-4R7M 供货情况 SRP1510CA-4R7M 库存数量 SRP1510CA-4R7M 规格书 SRP1510CA-4R7M 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Bourns 产品种类: 功率电感器（SMD型） RoHS: 详细信息 类型: Power Cho
深圳市毅创辉电子科技有限公司2025-7-24详情
MBR0530T1G 是安森美（onsemi）生产的一款肖特基功率整流器，常用于低压、高频整流等电路。
MBR0530T1G 是安森美（onsemi）生产的一款肖特基功率整流器，常用于低压、高频整流等电路。，形式：采用 SOD-123 封装，属于表面贴装型，尺寸小巧，便于自动化电路板组装，适合空间有限的电路设计。其封装尺寸约为 2.84mm×1.80mm。 主要参数： 反向重复峰值电压：30V。 平均整流电流：500mA。 正向压降：典型值为 430mV（在 500mA 电流时）。 反向漏电流：130μA（在 30V 反向电压时）。 非重复峰值浪涌电流：5.5A。 工作温度范围：-65℃~12
深圳市盈慧通电子有限公司2025-7-23详情
BAT54SLT1G 是安森美（onsemi）推出的一款肖特基二极管，属于小信号双系列，常用于电路中的电源保护、信号整流等场景。
BAT54SLT1G 是安森美（onsemi）推出的一款肖特基二极管，属于小信号双系列，常用于电路中的电源保护、信号整流等场景。，封装形式：采用 SOT-23-3 封装，是表面贴装型，尺寸小巧，适合在空间紧凑的电路板上使用，便于自动化组装。 主要参数： 重复反向电压：30V。 正向电流：200mA。 正向浪涌电流：600mA。 反向电流：2μA。 正向电压：800mV。 反向恢复时间：5ns。 产品特点：具有低正向压降、高速开关特性以及双向导通能力。其极低的正向电压可降低传导损耗，快速开关
深圳市盈慧通电子有限公司2025-7-23详情
PDS760原装现实单价优
PDS760原装现实单价优，PDS760原装现实单价优 代理现货PDS760 供应 有关咨询PDS760 价格 PDS760 供货情况 PDS760 库存数量 PDS760 规格书 PDS760 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: 肖特基二极管与整流器 产品: Schottky Diodes 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerDI5-3 配置: Single Dual Ano
深圳市毅创辉电子科技有限公司2025-7-23详情
MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。，参数： 集射极击穿电压：160V。 集电极电流：600mA。 DC 电流增益：250。 Vce 饱和压降：200mV。 功率耗散：225mW。 工作温度：-55℃~+150℃。 引脚数：3Pin。 产品特点： 高电压承受能力：集电极 - 发射极电压和集电极 - 基极电压最大值分别可达 160V 和 180V，能在高压环境下稳定工作。
深圳市盈慧通电子有限公司2025-7-22详情
BC817-40LT3G原包原装价格好
BC817-40LT3G原包原装价格好，BC817-40LT3G原包原装价格好 代理现货BC817-40LT3G 供应 有关咨询BC817-40LT3G 价格 BC817-40LT3G 供货情况 BC817-40LT3G 库存数量 BC817-40LT3G 规格书 BC817-40LT3G 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: onsemi 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/S
深圳市毅创辉电子科技有限公司2025-7-22详情
NUP2105LT1G 是安森美半导体（onsemi）推出的一款 ESD 抑制器 / TVS 二极管，主要用于保护高速容错网络中的 CAN 收发器免受 ESD 和其他有害瞬态电压事件的影响。
NUP2105LT1G 是安森美半导体（onsemi）推出的一款 ESD 抑制器 / TVS 二极管，主要用于保护高速容错网络中的 CAN 收发器免受 ESD 和其他有害瞬态电压事件的影响。，特性： 双向保护：可保护两条双向或两条单向线路，能为数据线提供双向 ESD 保护。 高 ESD 防护等级：符合 IEC-61000-4-2 的 4 级标准，静电放电电压触点可达 ±30kV，具备出色的抗静电能力。 低漏电流：反向漏电流小于 100nA，可减少能量损耗，提高电路效率。 低电容：结电容典型值为 3
深圳市盈慧通电子有限公司2025-7-22详情
LM2576S-5.0（UMW）是友台半导体（UMW）生产的一款高性能降压型开关稳压器，属于 LM2576 系列，专为将较高输入电压高效转换为稳定的 5V 输出电压而设计。
LM2576S-5.0（UMW）是友台半导体（UMW）生产的一款高性能降压型开关稳压器，属于 LM2576 系列，专为将较高输入电压高效转换为稳定的 5V 输出电压而设计。，参数 输出电压：固定 5V（精度通常为 ±4%）。 输入电压范围：典型为 4.5V~40V，可适应较宽的输入电压范围。 最大输出电流：3A（需外部散热片时），满足中功率设备供电需求。 开关频率：典型 52kHz，属于固定频率开关稳压器。 效率：最高可达 78%，远高于线性稳压器，尤其在输入输出电压差较大时优势明显。 封装形
深圳市盈慧通电子有限公司2025-7-21详情
LMV321IDBVR 是德州仪器（TI）生产的低功耗单通道通用运算放大器。
LMV321IDBVR 是德州仪器（TI）生产的低功耗单通道通用运算放大器。，参数 工作电压：2.7V 至 5.5V。 输入电压范围：0V 到 VCC-1.5V。 输出电压范围：轨到轨输出，接近电源电压范围，通常为 0V 到 VCC。 增益范围：20dB 到 120dB。 带宽：1MHz。 输入失调电压：典型值为 0.5mV。 静态电流：约 230μA。 封装形式：SOT-23-5 封装。 工作温度范围：-40℃到 85℃。 特点 低功耗：正常工作模式下功耗仅 2.4 毫瓦，待机模式
深圳市盈慧通电子有限公司2025-7-21详情
供应TRS213IDB
TRS213IDB 封装：SSOP-28-208mil，系列：TRS213 功能：Transceiver 数据速率: 120 kb/s 激励器数量：4 Driver 接收机数量：5 Receiver 双工：Full Duplex 电源电压-最大：5 V 电源电压-最小：5 V 安装风格：SMD/SMT 工作电源电流：20 mA 最小工作温度：- 40 C 最大工作温度：+ 85 C ESD 保护：15 kV 封装：Tube 商标：Texas Ins
深圳市威尔健半导体有限公司2025-7-20详情
UC2844BD1R2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能固定频率电流模式脉宽调制（PWM）控制器。
UC2844BD1R2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能固定频率电流模式脉宽调制（PWM）控制器。，参数： 引脚数：8Pin。 封装形式：SOIC-8。 供电电压：10V 至 30V。 输出电压：通常为 5V，具体可根据应用电路调整。 开关频率：最高可达 500kHz。 工作温度范围：-25℃至 + 85℃。 存储温度范围：-65℃至 + 150℃。 功能特点： 低启动和工作电流：具有低启动电流和低工作电流特性，适合低功耗应用，可减少电源系统在待机和运行过程
深圳市盈慧通电子有限公司2025-7-18详情
MMBFJ177LT1G 是安森美（onsemi）推出的一款 P 沟道结型场效应管（JFET）。
MMBFJ177LT1G 是安森美（onsemi）推出的一款 P 沟道结型场效应管（JFET）。，参数： 封装形式：采用 SOT-23-3 封装，属于表面贴装（SMD/SMT）类型，节省电路板空间，便于在多层电路板上布局。 晶体管极性：P 沟道。 栅源极击穿电压：30V。 漏极 - 栅极电压：25V。 栅极 - 源极电压：25V。 最大功率：225mW。 工作温度范围：-55°C~150°C。 性能特点： 低功耗：具有较低的漏极电流和导通电阻，在低电压和低电流条件下能量损耗小，有助于延长
深圳市盈慧通电子有限公司2025-7-18详情
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