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供应TS5USBA224RSWR

TS5USBA224RSWR 封装：SOIC-8，TS5USBA224RSWR 品牌：TI(德州仪器) 导通电阻—最大值：7 Ohms 运行时间—最大值：4 us 空闲时间—最大值：2000 ns 工作电源电压：2.7 V to 5.5 V 最小工作温度：- 40 C 最大工作温度：+ 85 C 开关数量：2 Switch 工作电源电流：10 uA 电源电压-最大：5.5 V 电源电压-最小：2.7 V 开关直流：100 mA 单位重量：10 mg

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REF198GSZ-REEL 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款精密电压基准芯片，采用 8 引脚 SOIC 封装，“-REEL” 表示其包装形式为卷带包装，通常适用于自动化贴装生产工艺。

REF198GSZ-REEL 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款精密电压基准芯片，采用 8 引脚 SOIC 封装，“-REEL” 表示其包装形式为卷带包装，通常适用于自动化贴装生产工艺。，参数：输出电压：4.096V。初始准确度：±2mV（最大值），相当于 ±0.05%。温度系数：最大 5ppm/℃，受温度影响小，电压稳定性好。输入电压范围：通常为 3.4V 至 15V，具体以实际电路为准。电源电流：最大 45μA，休眠模式下最大 15μA，功耗低。输出电流：可达 30mA，能

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REF196GSZ 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款电压基准芯片1。它属于 REF19x 系列，是 3.3V 精密、微功耗、低压差的低压基准电压源。

REF196GSZ 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款电压基准芯片1。它属于 REF19x 系列，是 3.3V 精密、微功耗、低压差的低压基准电压源。，参数：产品种类：参考电压。安装风格：SMD/SMT（表面贴装技术）。封装 / 箱体：SOIC-8。输出电压：3.3V。容差：±10mV。初始准确度：0.06%。温度系数：25ppm/°C。输入电压范围：3.4V 至 15V。电流 - 静态：15μA。电流 - 输出：30mA。工作温度范围：-40°C 至 85°C

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OP284ESZ 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款双路精密轨到轨运算放大器，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于滤波器、仪器仪表、便携式电信设备等领域。

OP284ESZ 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款双路精密轨到轨运算放大器，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于滤波器、仪器仪表、便携式电信设备等领域。，参数：电源电压范围：3V 至 36V 或 ±1.5V 至 ±18V，电源适应性强。压摆率：4V/μs，能够较快地跟随输入信号变化。输入失调电压：典型值为 100μV，失调电压较低，可提高信号放大的准确性。输入偏置电流：80nA，对输入信号源的负载影响较小。共模抑制比：90dB，抗共模干扰能力较好。工作电流：2.25mA，功

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OP262GSZ 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款双路轨到轨运算放大器，采用 8 引脚 SOIC 封装，具有高精度、低功耗等特点，适用于通讯、仪器、音频视频显示等领域。

OP262GSZ 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款双路轨到轨运算放大器，采用 8 引脚 SOIC 封装，具有高精度、低功耗等特点，适用于通讯、仪器、音频视频显示等领域。，参数: 放大器类型：通用型，双路（内部包含 2 个独立运算放大器）输出类型：轨到轨（满摆幅输出），输出电压可接近电源轨封装：8 引脚 SOIC（表面贴装，宽度 3.90mm）工作温度范围：-40°C 至 125°C（工业级温度范围）存储温度范围：-65°C 至 150°C 电源电流：每通道典型值 275μA（总电

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OP37GSZ 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款低噪声、精密、高速运算放大器，采用 8 引脚 SOIC 封装。

OP37GSZ 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款低噪声、精密、高速运算放大器，采用 8 引脚 SOIC 封装。，参数: 电源电压范围：±4V 至 ±18V 输入失调电压：典型值 10μV，最大值 50μV 失调电压漂移：典型值 0.2μV/°C 输入偏置电流：典型值 ±10nA 输入电压范围：±10.3V 至 ±11.5V 共模抑制比：126dB（共模电压为 11V 时）电源抑制比：VS = ±4.5V 至 ±18V 时，典型值 16mV/V 增益带宽积：63MHz 压摆率：17V/

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LTM4700EY#PBF 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能电源模块，具有数字电源系统管理功能，曾荣获 “2018 年度中国最具竞争力电源产品”“2019 年全球电子成就奖” 等奖项。

LTM4700EY#PBF 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能电源模块，具有数字电源系统管理功能，曾荣获 “2018 年度中国最具竞争力电源产品”“2019 年全球电子成就奖” 等奖项。，参数: 输出电流：双通道 50A 或单通道 100A 数字可调输出。输入电压范围：4.5V 至 16V。输出电压范围：0.5V 至 1.8V。效率：在 100A 负载，12V 输入至 1V 输出时，满载效率约为 90%。输出误差：在整个温度范围内，最大 DC 输出误差为 ±0.5%。电流回读精

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LTM4613IY#PBF 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能 DC/DCμModule 稳压器。

LTM4613IY#PBF 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能 DC/DCμModule 稳压器。，输入/输出参数: 输入电压范围：5V 至 36V，支持宽电压输入场景。输出电流：最大 8A。输出电压范围：3.3V 至 15V，可通过单个外部电阻器编程设定。电压调整率：线性调整率（输入电压变化时）：典型值 0.01%/V（在额定输出电流下）。负载调整率（负载电流变化时）：典型值 0.05%（在额定输入电压下）。效率/功耗: 峰值效率：在 24V 输入、12V 输出、额定负

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LTC5542IUH#TRPBF 是亚德诺半导体（ADI）旗下的一款高动态范围下变频混频器，主要用于无线通信领域的信号处理，

LTC5542IUH#TRPBF 是亚德诺半导体（ADI）旗下的一款高动态范围下变频混频器，主要用于无线通信领域的信号处理，，频率：适用于 1.6GHz 至 2.7GHz 的 RF 应用，LO 频率需在 1.7GHz 至 2.5GHz 范围内以实现较佳性能。典型应用于具有 2.3GHz 至 2.7GHz RF 输入和低端 LO 的 LTE 或 WiMAX 接收器。增益与动态范围：在 2.4GHz 时，转换增益为 8dB，IIP3 为 26.8dBm，具有高输入 P1dB，高转换增益和高动态范围允许在高

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LTC5541IUH#TRPBF 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高动态范围下变频混频器，主要用于无线通信领域的信号处理。

LTC5541IUH#TRPBF 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高动态范围下变频混频器，主要用于无线通信领域的信号处理。，频率：适用于 1.3GHz 至 2.3GHz 的 RF 应用，LO 频率需在 1.4GHz 至 2.0GHz 范围内以获得最佳性能。典型应用于具有 1.7GHz 至 2.2GHz RF 输入和低端 LO 的 LTE 或 W-CDMA 接收器。增益与动态范围：在 1950MHz 时，转换增益为 7.8dB，IIP3 为 26.4dBm，可针对 13dBm 输入 P1dB 进行配置

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LTC4366HTS8-2#TRMPBF 是一款由亚德诺半导体（ADI）旗下 Linear Technology 生产的高电压浪涌抑制器，主要用于工业、汽车和航空电子等领域。

LTC4366HTS8-2#TRMPBF 是一款由亚德诺半导体（ADI）旗下 Linear Technology 生产的高电压浪涌抑制器，主要用于工业、汽车和航空电子等领域。，工作电压范围：支持宽泛的工作电压范围，为 9V 至大于 500V，能适应多种高电压应用场景。输出箝位电压：输出箝位电压可调，可以根据具体需求设置输出电压的阈值，提供灵活的过压保护机制。 MOSFET 控制：通过内部电路控制外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，在过压瞬变过程中能够调节输出电压，使负载保持正常运行。保护定时器

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LT3045IMSE#TRPBE 是一款高性能低压差线性稳压器（LDO），由亚德诺半导体（ADI）生产，采用 12 引脚 MSOP 封装，工作温度范围为 - 40°C 至 125°C。

LT3045IMSE#TRPBE 是一款高性能低压差线性稳压器（LDO），由亚德诺半导体（ADI）生产，采用 12 引脚 MSOP 封装，工作温度范围为 - 40°C 至 125°C。，超低噪声：在 10Hz 至 100kHz 带宽上，输出噪声仅为 0.8μV_RMS，在 10kHz 时，点噪声低至 2nV/√Hz，能有效减少对敏感电路的噪声干扰。超高电源抑制比（PSRR）：在 1MHz 时可达 76dB，可很好地抑制电源纹波，为负载提供稳定纯净的电源。输出能力：可提供 500mA 的输出电流，能

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LT1175IS8#PBF 是一款低压差稳压器（LDO），由 Linear Technology（现亚德诺半导体 ADI）生产。

LT1175IS8#PBF 是一款低压差稳压器（LDO），由 Linear Technology（现亚德诺半导体 ADI）生产。，输出电压：有多种版本，如 LT1175IS8 - 5#PBF 输出电压为 - 5V。输出电流：最大输出电流可达 500mA，能为负载提供一定的功率支持。电压精度：精度为 2.5%，可较为精准地稳定输出电压。输入电压范围：部分型号如 LT1175IST - 5 可下调至 - 20V。电压降：以 LT1175IST - 5 为例，在 500mA 输出时，电压降典型值

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K4A4G165WF-BCTD 是三星推出的一款 DDR4 动态随机存取存储器（DRAM）。

K4A4G165WF-BCTD 是三星推出的一款 DDR4 动态随机存取存储器（DRAM）。，存储容量：存储容量为 4Gbit，内存组织为 256M x 16，即每次读写操作可处理 16 位数据，通常对应 512MB 的数据。工作电压：工作电压为 1.2V，符合超低电压（ULV）标准，有助于降低整体功耗，提高设备能效。数据速率：支持 DDR4，数据传输速度较快，速率可达 2666Mbps，能满足现代应用对大带宽的需求。时序延迟：存取延迟较低，通常为 CL15 或 CL16，可使处理器更迅速地响

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HMC8205BF10 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款氮化镓（GaN）宽带功率放大器。

HMC8205BF10 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款氮化镓（GaN）宽带功率放大器。，频率：瞬时带宽范围为 0.3GHz 至 6GHz，可覆盖较宽的频谱范围，适用于多种对带宽有要求的应用场景。输出功率：能提供 45.5dBm（35W）的输出功率，可满足一些需要较高功率输出的设备需求。功率附加效率：功率附加效率（PAE）为 38%，具备较好的能量转换效率，有助于降低能耗和减少散热压力。增益：功率增益约 20dB，可有效放大输入信号。电源电压：工作电源电压为 VDD = 50V，电流为

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REF196GSZ 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款电压基准芯片1。它属于 REF19x 系列，是 3.3V 精密、微功耗、低压差的低压基准电压源。

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OP262GSZ 是亚德诺半导体（ADI）公司推出的一款双路轨到轨运算放大器，采用 8 引脚 SOIC 封装，具有高精度、低功耗等特点，适用于通讯、仪器、音频视频显示等领域。

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LTC5542IUH#TRPBF 是亚德诺半导体（ADI）旗下的一款高动态范围下变频混频器，主要用于无线通信领域的信号处理，

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LTC5541IUH#TRPBF 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高动态范围下变频混频器，主要用于无线通信领域的信号处理。

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LTC4366HTS8-2#TRMPBF 是一款由亚德诺半导体（ADI）旗下 Linear Technology 生产的高电压浪涌抑制器，主要用于工业、汽车和航空电子等领域。

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LT3045IMSE#TRPBE 是一款高性能低压差线性稳压器（LDO），由亚德诺半导体（ADI）生产，采用 12 引脚 MSOP 封装，工作温度范围为 - 40°C 至 125°C。

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K4A4G165WF-BCTD 是三星推出的一款 DDR4 动态随机存取存储器（DRAM）。

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HMC8205BF10 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款氮化镓（GaN）宽带功率放大器。

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