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TPS112晶体管资料

  • TPS112别名：TPS112三极管、TPS112晶体管、TPS112晶体三极管

  • TPS112生产厂家：

  • TPS112制作材料：Si-PNP

  • TPS112性质：

  • TPS112封装形式：

  • TPS112极限工作电压：60V

  • TPS112最大电流允许值：0.5A

  • TPS112最大工作频率：<1MHZ或未知

  • TPS112引脚数：

  • TPS112最大耗散功率：0.625W

  • TPS112放大倍数：

  • TPS112图片代号：NO

  • TPS112vtest：60

  • TPS112htest：999900

  • TPS112atest：0.5

  • TPS112wtest：0.625

  • TPS112代换 TPS112用什么型号代替：CK10C,

TPS112价格

参考价格：￥7.0274

型号：TPS1120D 品牌：TI 备注：这里有TPS112多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，TPS112批发/采购报价，TPS112行情走势销售排行榜，TPS112报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TPS1120

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120D

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120D.A

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120D.B

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120DR

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120DR.A

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120DR.A

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120DR.B

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120DR.B

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120Y

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120

双路 P 沟道增强模式 MOSFET

TI

德州仪器

TPS1120

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

TPS1120_08

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120D

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

TPS1120D

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120DG4

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120DR

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120DRG4

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.8865 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TPS1120DRG4

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120Y

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

TPS1120YD

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

112

Customer Specification

Construction Diameters (In) 1) Component 1 8 X 1 COND a) Conductor 22 (26/36) AWG Bare Copper 0.027 b) Insulation 0.010 Wall, Nom. PVC, Semi Rigid 0.047 (1) Color(s) Cond Color Cond Color Cond Color 1 WHITE 4 YELLOW 7 BLUE 2 BROWN 5 SLATE 8 RED 3 GREEN 6 PINK 2) Cable Assembly 8 Componen

ALPHAWIRE

112

Customer Specification

Construction Diameters (In) 1) Component 1 8 X 1 COND a) Conductor 22 (26/36) AWG Bare Copper 0.027 b) Insulation 0.010 Wall, Nom. PVC, Semi Rigid 0.047 (1) Color(s) Cond Color Cond Color Cond Color 1 WHITE 4 YELLOW 7 BLUE 2 BROWN 5 SLATE 8 RED 3 GREEN 6 PINK 2) Cable Assembly 8 Componen

ALPHAWIRE

112

Easy Identification and Tracing with 10-color Cable

文件：782.9 Kbytes Page：2 Pages

ARIES

112

22x25mm Stratum 3 OCXO

文件：63.66 Kbytes Page：3 Pages

CTS

西迪斯

112

Temperature Sensors Line Guide

文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages

Honeywell

霍尼韦尔

TPS112产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPS112

  • 功能描述

    MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TPS112供应商更多...

更新时间：2025-12-25 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
TPS1120DR
TI
2016+
SOP8
2342
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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深圳市华康联电子科技有限公司
TPS1120DR
TI
23+
NA
20000
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深圳市赛美科科技有限公司
TPS1120DRG4
TI/德州仪器
新年份
SOP-8
33288
原装正品现货,实单带TP来谈!
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深圳市昌和盛利电子有限公司
TPS1120D
TI/TEXAS
NEW
原厂封装
8931
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
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深圳市卓越微芯电子有限公司
TPS1120DR
TI
25+
SOP8
2490
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市湘达电子科技有限公司
TPS1120DRMOS(场效应管)
TI/德州仪器
2022+
SOIC-8
8000
只做原装支持实单,有单必成。
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芯灿微（深圳）科技有限公司
TPS1120DR
TI/德州仪器
22+
SOP-8_150mil
500000
原装现货支持实单价优/含税
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
TPS1120DR
TI/德州仪器
25+
SOP-8
12496
TI/德州仪器原装正品TPS1120DR即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
TPS1120DR
TI
22+
SMD
16944
原装正品，实单请联系
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深圳市力拓辉电子有限公司
TPS1120D
TI
22+
SOP8
5000
只做原装鄙视假货15118075546
询价

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TPS112规格书下载地址

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