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TPS112晶体管资料

  • TPS112别名：TPS112三极管、TPS112晶体管、TPS112晶体三极管

  • TPS112生产厂家：

  • TPS112制作材料：Si-PNP

  • TPS112性质：

  • TPS112封装形式：

  • TPS112极限工作电压：60V

  • TPS112最大电流允许值：0.5A

  • TPS112最大工作频率：<1MHZ或未知

  • TPS112引脚数：

  • TPS112最大耗散功率：0.625W

  • TPS112放大倍数：

  • TPS112图片代号：NO

  • TPS112vtest：60

  • TPS112htest：999900

  • TPS112atest：0.5

  • TPS112wtest：0.625

  • TPS112代换 TPS112用什么型号代替：CK10C,

TPS112价格

参考价格：￥7.0274

型号：TPS1120D 品牌：TI 备注：这里有TPS112多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，TPS112批发/采购报价，TPS112行情走势销售排行榜，TPS112报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TPS1120

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120

双路 P 沟道增强模式 MOSFET

The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have been optimized, by means of the Texas Instruments LinBiCMOSTM process, for 3-V or 5-V power distribution in battery-powered systems. With a maximum VGS(th) of -1.5 V and an IDSS of only 0.5 uA, the TPS1120 is the i • Low rDS(on) . . . 0.18 at VGS = -10 V\n• Requires No External VCC\n• VGS(th) = -1.5 V Max\n• ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015\n LinBICMOS is a trademark of Texas Instruments Incorporated;

TI

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TPS1120D

丝印代码：1120；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

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德州仪器

TPS1120D.A

丝印代码：1120；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

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TPS1120D.B

丝印代码：1120；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

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TPS1120DR

丝印代码：1120；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

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德州仪器

TPS1120DR.A

丝印代码：1120；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

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TPS1120DR.A

丝印代码：1120；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120DR.B

丝印代码：1120；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI

德州仪器

TPS1120DR.B

丝印代码：1120；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

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德州仪器

TPS1120Y

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

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德州仪器

TPS1120

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

TPS1120_08

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120D

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120D

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

TPS1120DG4

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120DR

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120DRG4

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

TPS1120DRG4

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.8865 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TPS1120Y

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

TPS1120YD

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

J112

JFET Chopper Transistor (N-Channel- Depletion)

JFET Chopper Transistor N–Channel — Depletion

MOTOROLA

摩托罗拉

MJD112

SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic

MOTOROLA

摩托罗拉

TIP112

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

MOTOROLA

摩托罗拉

TIP112

POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

MOSPEC

统懋

LM112H

Operational Amplifiers

文件：200.55 Kbytes Page：6 Pages

NSC

国半

TPS112产品属性

  • 类型

    描述

  • Rating：

    Catalog

TPS112供应商更多...

更新时间：2026-5-15 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
TPS1120DR
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TPS1120DR
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TPS1120DR
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市腾亿芯科技有限公司
TPS1120DR
TI(德州仪器)
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原装
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深圳市华康联电子科技有限公司
TPS1120DR
TI
23+
NA
20000
询价

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TPS112规格书下载地址

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    TPP 150-128，TPP150-128，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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