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位置：首页 > IC中文资料第570页 > TPS1120

TPS1120价格

参考价格：￥7.0274

型号：TPS1120D 品牌：TI 备注：这里有TPS1120多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，TPS1120批发/采购报价，TPS1120行情走势销售排行榜，TPS1120报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TPS1120

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

TPS1120D

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120D.A

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120D.B

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120DR

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120DR.A

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120DR.A

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120DR.B

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120DR.B

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120Y

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

TI2

德州仪器

TPS1120_08

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI1

德州仪器

TPS1120D

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

TPS1120D

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI1

德州仪器

TPS1120DG4

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI1

德州仪器

TPS1120DR

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI1

德州仪器

TPS1120DRG4

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.8865 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TPS1120DRG4

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages

TI1

德州仪器

TPS1120Y

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

TPS1120YD

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

1120

Customer Specification

Construction Diameters (In) 1) Component 1 2 X 1 COND a) Conductor 28 (7/36) AWG Tinned Copper 0.015 b) Insulation 0.010 Wall, Nom. PVC 0.035 (1) Color Code Alpha Wire Color Code D Cond Color Cond Color Cond Color 1 BLACK 2 RED 2) Cable Assembly 2 Components Cabled a) Twists: 12.0 Twists/

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

1120

Cushion-Mount??Plus Plate Mounting Tapes

文件：309.03 Kbytes Page：4 Pages

3M

1120

Heyco짰 Original Strain Relief Bushings

文件：137.33 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

1120

HIGH CURRENT RF CHOKES

文件：38.74 Kbytes Page：1 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

1120

3M??EMI/EMC Electronic Materials

文件：4.87064 Mbytes Page：12 Pages

3M

TPS1120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPS1120

  • 功能描述

    MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TPS1120供应商更多...

更新时间：2025-8-15 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
TPS1120YD
TI/德州仪器
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NA/
5880
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深圳市凌旭科技有限公司
TPS1120YD
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TPS1120DR
TI/德州仪器
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深圳市科芯源微电子有限公司
TPS1120DRMOS(场效应管)
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TI/德州仪器
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TPS1120DR
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TPS1120DR
TI
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深圳市芯球通科技有限公司
TPS1120D
TI(德州仪器)
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TPS1120DR
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TPS1120规格书下载地址

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