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位置：TPS1120DR > TPS1120DR详情

TPS1120DR中文资料

TPS1120DR
厂家型号

TPS1120DR
文件大小

379.72Kbytes
页面数量

15页
功能描述

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
数据手册

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生产厂商

TI1

相近规格书

TPS1120DR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPS1120DR

  • 功能描述

    MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TPS1120DR供应商...

更新时间：2025-10-6 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TPS1120DR 价格

参考价格：￥5.9073

型号：TPS1120DR 品牌：TI 备注：这里有TPS1120DR多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，TPS1120DR批发/采购报价，TPS1120DR行情走势销售排排榜，TPS1120DR报价。

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