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TPS1120DR数据表
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Id-连续漏极电流: 1.17 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 2 V， - 15 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 840 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: TPS1120
晶体管类型: 2 P-Channel
类型: PMOS Switches
宽度: 3.9 mm
商标: Texas Instruments
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
单位重量: 76 mg
