型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TPS1120DRG4

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件:379.72 Kbytes Page:15 Pages

TI1

德州仪器

TPS1120DRG4

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.8865 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TPS1120DRG4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPS1120DRG4

  • 功能描述

    MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-16 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
20+
SOP-8
63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
TI
20+
SOP8
2960
诚信交易大量库存现货
TI
SOP8
22+
6000
十年配单,只做原装
TI/TEXAS
23+
原厂封装
8931
VBsemi/台湾微碧
21+
SOIC-8
32462
原装现货假一赔十
TI
2020+
SOP8
2630
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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60000
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23+
SOP8
50000
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