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TPS1120DRG4中文资料

厂家型号

TPS1120DRG4

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15

功能描述

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

数据手册

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生产厂商

TI1

TPS1120DRG4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPS1120DRG4

  • 功能描述

    MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 11:04:00
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