ISL6614-先进的同步整流降压双MOSFET驱动器的保护功能...

先进的同步整流双 降压MOSFET驱动器与保护
特点
ISL6613的ISL6614集成了两个MOSFET驱动器，专门用来驱动两个独立的电源在多相位交错式降压转换器通道拓扑。与HIP63xx或ISL65xx结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET的形式完整的核心电压调节器解决方案
先进的微处理器。在上下两个闸驱动器ISL6614同时在一个范围从5V至12V。这drivevoltage提供必要的灵活性，以优化栅极电荷和应用之间涉及权衡传导损耗。一种先进的自适应零直通保护同时整合，以防止上下的MOSFET从同时进行，并尽量减少死人时间。这些产品中添加过电压保护功能VCC超过其业务之前启动阈值，在而产生相连接到节点的低门边MOSFET（LGATE）。转换器的输出电压然后由低侧MOSFET阈值的限制，它提供了一些保护，如果微处理器上方MOSFET（s）是在启动过程中短路。为过热保护功能可以防止故障所造成的从功耗过大的输出通过关闭当其结温超过150℃（典型值）。该司机一旦其结温复位返回到108 ° （典型值）。该ISL6614还具有三态PWM输入其中，合作与Intersil的多相位PWM控制器，防止在输出电压为负时的瞬态输出关闭。此功能消除了肖特基二极管，在某些系统中用于保护负载从反向输出电压事件。

特点
•引脚对引脚SOIC封装系列兼容与HIP6602为更好性能和额外的保护功能
•四为2条同步N沟道MOSFET驱动器整流桥
•先进的自适应零击穿保护
- 体二极管的检测
- 自动零的RDS（ON）的传导补偿的影响
•可调节门电压（5V至12V）的最佳效率
•内部自举肖特基二极管
•自举电容防止滥收费用
•支持高开关频率（高达至1MHz）
- 3A型灌电流能力
- 快速上升/下降时间和低延时
•三态的输出级关断PWM输入
•三态PWM控制器，用于应用程序输入迟滞随着上电顺序要求
•预+保护过电压的POR
•VCC欠压保护过温保护（OTP）•42 ° C的迟滞
•可扩展的增强型热底铜垫下沉
•QFN封装：
- 符合于JEDEC PUB95的MO - 220的QFN - 四方扁平没有信息 - 封装外形
- 近芯片级封装面积，从而提高PCB的效率，具有更薄的个人资料
•无铅加退火有（符合RoHS）

应用
•英特尔®•核心稳压器和AMD ®微处理器
•高电流DC - DC转换器
•高频率和高效率的VRM和VRD推出