IR1175-同步整流驱动

特点
提供恒定的和适当的栅极驱动电源不论MOSFET的变压器输出
最大限度地减少损失功率MOSFET体漏极二极管的导通
单机操作 - 初级端没有任何联系
双脉冲抑制施密特触发输入允许在嘈杂的环境中运行
高电流驱动能力 - 2A型
高速运转 - 2MHz的
适应多种拓扑结构，如单端（未来，双端进）

说明
该IR1175是一款高速CMOS控制器设计以驱动N沟道功率MOSFET的使用为同步在大电流，高频率整流器前进转换器具有等于或低于5V直流输出电压。双脉冲抑制施密特触发器输入让控制器工作在嘈杂的环境。该电路不需要任何关系到主方和源于它的工作电源直接从次级。通过预估电路功能变压器输出转换，然后打开电源MOSFET的开启或关闭之前，变压器的转换尽量减少体漏极二极管传导和降低相关的损失。打开/关闭前置时间进行调整，以适应多种电源MOSFET的尺寸和电路的条件。该IR1175还提供栅极驱动重叠/死区时间控制通过为进一步减少外部元件二极管的导通以第二循环的影响和设备归零封装电感。