LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器

描述
作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。栅极至源极电压内部限制为14.5V操作时更高的供电电压。

特点
驱动器门顶侧MOSFET高于V+在电源电压从5V至30V操作ñ
150ns转换时间驱动3000pF山顶上n500mA的驱动电流
自适应非重叠门驱动
连续电流限制保护
自动关机和重试功能
的内部电荷泵DC操作
内置栅极电压保护
的电流检测的MOSFET兼容
的TTL / CMOS输入电平
故障输出指示

应用
PWM大电流感性负载
半桥和全桥电机控制
同步降压开关稳压器
三相无刷电机驱动器
高驱动电流传感器
电池操作的逻辑电平MOSFET