同步整流MOSFET驱动器
该ISL6596是高频MOSFET驱动器优化在同步驱动两个N沟道功率MOSFET降压转换器。与Intersil的结合此驱动程序多相降压PWM控制器,形成一个完整的单级核心电压,高效率稳压器解决方案在高开关频率性能先进微处理器。该IC是由一个单一的低偏置电压(5V时),尽量减少开关损耗高驱动MOSFET栅极电容和高开关频率的应用。每个驱动器是驾驶不到第三范式负载的能力10ns的上升/下降时间。上层栅极驱动器自举是通过实施内部低正向压降二极管,降低实施成本,复杂性,并允许使用性能更高,成本效益的N沟道的MOSFET。自适应击穿保护集成为了防止同时进行两个MOSFET。第4A的ISL6596的特点为典型的低电流下沉栅极驱动器,提高低MOSFET栅极压紧在第一阶段的上升沿节点能力,防止权力造成损失的自导通的MOSFET导通,由于低在高dV / dt的开关节点。该ISL6596还具有输入,承认一个highimpedance状态,工作与Intersil一起多相3.3V或5V的PWM控制器,以防止消极瞬变在控制输出电压时,操作暂停。此功能消除了肖特基需要二极管,可在电力系统中用来保护负载输出电压从负损害。
应用
•核心的Intel ®和AMD ®电压电源 微处理器
•高频薄型高效率DC / DC 转换器
•大电流低电压直流/直流转换器
•同步整流隔离电源
ISL6596-同步整流MOSFET驱动器...
时间:2013-3-1 15:26:00
同步整流MOSFET驱动器 该ISL6596是高频MOSFET驱动器优化在同步驱动两个N沟道功率MOSFET降压转换器。与Intersil的结合此驱动程序多相降压PWM控制器,形成一个完整的单级核心电压,高效率稳压器解决方案在高开关频率性能先进微处理器。该IC是由一个单一的低偏置电压(5V时),尽量减少开关损耗高驱动MOSFET栅极电容和高开关频率的应用。每个驱动器是驾驶不到第
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