ISL6205-高电压同步整流降压MOSFET驱动器

时间:2013-3-1 15:26:00

高电压同步整流降压MOSFET驱动器 该ISL6205是一种高电压,高频率,双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个N沟道以同步整流降压转​​换器的功率MOSFET拓扑结构,移动计算应用。此驱动程序结合Intersil公司的ISL6223或其他多相降压PWM控制器形成了一个完整的单阶段的核心电压稳压器解决方案先进移动微处理器。该ISL6205允许用户选择

高电压同步整流降压MOSFET驱动器
该ISL6205是一种高电压,高频率,双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个N沟道以同步整流降压转​​换器的功率MOSFET拓扑结构,移动计算应用。此驱动程序结合Intersil公司的ISL6223或其他多相降压PWM控制器形成了一个完整的单阶段的核心电压稳压器解决方案先进移动微处理器。该ISL6205允许用户选择一个门电压范围从5V至为在12V的同步MOSFET的低整流降压转​​换器。使用12V的栅极电压降低的RDS(ON)和在MOSFET的传导损耗。该门上需要运行在5V。 该ISL6205具有三态PWM输入的,工作连同任何Intersil的多相PWM控制器,将 防止在输出电压为负时,瞬时输出被关闭。此功能消除了肖特基二极管,通常出现在一个微处理器电力系统保护的任何微处理器反向输出电压的损害。在ISL6205的输出驱动器有能力高效功率MOSFET开关频率高达2MHz的。每个驱动器是驾驶一辆带有一个3000pF负载的能力30ns和50ns的传播延迟时间的过渡。这产品实行引导在上门,降低实施的复杂性,并允许使用更高的性能,成本效益,N沟道MOSFET。自适应击穿保护集成,以防止从同时进行两个MOSFET。

特点
•驱动两个N沟道MOSFET
•自适应击穿保护
•25V的工作电压
•支持高开关频率
-快速输出上升时间
-传播延迟30ns
•小型8引脚SOIC封装
•双栅极驱动电压为低MOSFET的最佳效率
•三态的输入输出级关断
•电源欠压保护
•5V或12V MOSFET驱动为低

应用
•核心的Intel移动奔腾® III电压电源,AMD ®的移动Athlon™或Duron™微处理器
•高频超薄的DC - DC转换器
•高电流低电压DC - DC转换器
•高输入电压DC - DC转换器

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