描述
单一的LTC1154高边栅极驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高侧开关应用。内部电荷泵提升了栅极驱动电压上述积极铁路，充分提高一个N沟道MOS开关，无需外部元件。微操作，待机电流为8mA，并与工作电流达85mA，几乎所有的系统允许的最大使用效率。该芯片还包含可编程的过电流检测。一时间延迟可以被添加到防止假触发高浪涌电流负载。高有效的关断输入还提供了直接和接口标准PTC公司热敏电阻热关机。开漏输出报告提供的开关状态的国会议员。低有效使能输入可控制多台交换机在银行。该LTC1154备有8脚DIP和8脚SOIC包。
特点
全面提升N沟道功率MOSFET待机电流为8mA智商ñ
智商ON电流达85mA
不外部电荷泵电容
4.5V至18V电源范围
短路保护
通过PTC热敏电阻器的热关断
状态输出指示关机
在8引脚SOIC封装...
应用
笔记本电脑电源开关
SCSI终端电源开关
移动电话的电源管理
电池充电和管理
高边工业和汽车开关
步进电机和直流电机控制...
LTC1154-高边MOSFET驱动器微
时间：2013-2-27 15:26:00
描述 单一的LTC1154高边栅极驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高侧开关应用。内部电荷泵提升了栅极驱动电压上述积极铁路，充分提高一个N沟道MOS开关，无需外部元件。微操作，待机电流为8mA，并与工作电流达85mA，几乎所有的系统允许的最大使用效率。该芯片还包含可编程的过电流检测。一时间延迟可以被添加到防止假触发高浪涌电流负载。高有效的关断输入还提供了直接和接口标准PTC公司
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2025-8-10 23:00:00
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