一般描述
该LM9061是电荷泵器件,它提供栅极驱动外部功率MOSFET任何规模配置作为一个高边驱动器或开关。 CMOS逻辑兼容ON / OFF输入控制输出门极驱动电压。在ON状态时,电荷泵电压,这是远高于可用VCC电源,直接应用到门的MOSFET。一个内置15V的齐纳钳位最大门源电压的MOSFET。当命令关闭一110毫安灌电流放电电容的大门为逐步关断特性的MOSFET,以尽量减少感性负载的持续时间和瞬态电压进一步保护功率MOSFET。对功率MOSFET无损保护是一个重要特点的LM9061。电压降(VDS)的整个电源设备不断监测和对一个比较外部可编程阈值电压。小电流传感与负载,从而导致亏损串联电阻对现有的能源,不需要保护电路。如果VDS的电压,由于过度负载电流,超过阈值电压时,输出被锁定在关较为渐进的方式(通过10 mA的输出电流汇)后一个可编程的延迟时间间隔。专为汽车应用环境LM9061有一个b40 § C宽工作温度范围到a125 § ç,仍然与VCC的注册业务至26V,并可承受60V的电源瞬变。是的LM9061提供8引脚小外形封装和8引脚双列直插式封装。
特点
内置收费偏高超速门泵驱动应用
无损保护的功率MOSFET
可编程电压MOSFET保护
可编程保护延迟闭锁
快速开启(1.5 ms以下的闸极电容25000 pF)的
在VCC欠压关闭K表7V的关
过压关上的VCC升26V的关
可承受60V的电源的瞬态
CMOS逻辑兼容的ON / OFF控制输入
表面安装和双列直插式封装
应用
阀,继电器和螺线管驱动器
灯司机
直流电动机PWM驱动器
逻辑控制配电开关
电子断路器
LM9061-功率MOSFET驱动器,无损保护
时间:2013-2-28 15:26:00
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型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Power MOSFET Driver with Lossless Protection | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | |||
High-Side Protection Controller | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | |||
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INSULATED PC SPACERS/SUPPORTS | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |
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NSC | 23+ | SOT89 | 18000 | ||||
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TI(德州仪器) | 2021+ | SOIC-8 | 499 |