描述
在LTC1255双高侧驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高边工业和汽车
开关应用。内部电荷泵增强铁路正上方的栅极驱动电压，全面提高一个N沟道MOS开关无外部元件。低功耗操作，12mA电流待机电流，使几乎所有的系统与使用最高的效率。包括片上是独立的过流检测提供在短路情况下自动关机。一时间延迟可以被添加到当前意义防止高浪涌电流负载假触发。LTC1255工作在从9V至24V电源，并非常适用于工业和汽车应用。该LTC1255在这两个8引脚DIP和一8引脚SOIC封装。
特点
全面提升N沟道功率MOSFET
12毫安待机电流在电源电压从9V至24V操作ñ
短路保护
轻松保护，以防止电源的瞬态
程控交换和关闭时间
不外部电荷泵元件
使用标准逻辑系列兼容
在8引脚SOIC封装
应用
螺线管驱动器
直流电动机驱动器
步进电机驱动器
灯驱动器/调光器
继电器驱动器
低频率H桥
P沟道开关更换
LTC1255I-双24V的高侧MOSFET驱动器
时间：2013-2-27 15:26:00
描述 在LTC1255双高侧驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高边工业和汽车 开关应用。内部电荷泵增强铁路正上方的栅极驱动电压，全面提高一个N沟道MOS开关无外部元件。低功耗操作，12mA电流待机电流，使几乎所有的系统与使用最高的效率。包括片上是独立的过流检测提供在短路情况下自动关机。一时间延迟可以被添加到当前意义防止高浪涌电流负载假触发。LTC1255工作在从9V
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2025-9-25 18:57:00
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